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LED芯片工艺参数分析测试技术的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-7页
第一章 前言第7-21页
   ·LED的应用与前景第7-10页
   ·LED芯片的生长工艺第10-16页
     ·LED芯片基本结构第10-11页
     ·衬底第11页
     ·外延技术第11-13页
     ·pn结和量子阱结构第13-15页
     ·LED芯片类型第15-16页
   ·LED芯片质量的影响因素第16-17页
   ·LED芯片生长工艺的新的挑战第17-18页
   ·LED芯片测试技术第18-19页
   ·本文工作内容第19-21页
第二章 n&k分光光度仪介绍第21-26页
   ·n&k分光光度仪的结构第21-22页
   ·Forouhi-Bloomer离散方程第22-24页
   ·测试软件界面第24-26页
第三章 LED芯片薄膜膜厚与结构的分析测试第26-43页
   ·LED样品介绍与表面粗糙度第26-28页
   ·n&k的测试分析结果第28-33页
   ·SIMS实验结果验证第33-37页
   ·椭圆偏振实验结果验证第37-40页
   ·SEM实验结果验证第40-41页
   ·小结第41-43页
第四章 LED芯片薄膜组分的分析测试第43-57页
   ·数据对比技术的分析测试第43-51页
     ·样品n,k图谱实验结果第43-44页
     ·化合物半导体组分与折射率的关系第44-47页
     ·Luxpop数据库比对技术第47-48页
     ·n&k对组分的分析测试结果第48-51页
   ·XRD实验结果的验证第51-53页
   ·XPS实验结果的验证第53-55页
   ·小结第55-57页
第五章 LED量子阱的分析测试第57-62页
   ·量子阱特性第57-58页
   ·FIB制样技术第58-60页
   ·TEM测试结果第60-61页
   ·小结第61-62页
第六章 实验总结第62-63页
参考文献第63-66页
致谢第66-67页

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