LED芯片工艺参数分析测试技术的研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 前言 | 第7-21页 |
·LED的应用与前景 | 第7-10页 |
·LED芯片的生长工艺 | 第10-16页 |
·LED芯片基本结构 | 第10-11页 |
·衬底 | 第11页 |
·外延技术 | 第11-13页 |
·pn结和量子阱结构 | 第13-15页 |
·LED芯片类型 | 第15-16页 |
·LED芯片质量的影响因素 | 第16-17页 |
·LED芯片生长工艺的新的挑战 | 第17-18页 |
·LED芯片测试技术 | 第18-19页 |
·本文工作内容 | 第19-21页 |
第二章 n&k分光光度仪介绍 | 第21-26页 |
·n&k分光光度仪的结构 | 第21-22页 |
·Forouhi-Bloomer离散方程 | 第22-24页 |
·测试软件界面 | 第24-26页 |
第三章 LED芯片薄膜膜厚与结构的分析测试 | 第26-43页 |
·LED样品介绍与表面粗糙度 | 第26-28页 |
·n&k的测试分析结果 | 第28-33页 |
·SIMS实验结果验证 | 第33-37页 |
·椭圆偏振实验结果验证 | 第37-40页 |
·SEM实验结果验证 | 第40-41页 |
·小结 | 第41-43页 |
第四章 LED芯片薄膜组分的分析测试 | 第43-57页 |
·数据对比技术的分析测试 | 第43-51页 |
·样品n,k图谱实验结果 | 第43-44页 |
·化合物半导体组分与折射率的关系 | 第44-47页 |
·Luxpop数据库比对技术 | 第47-48页 |
·n&k对组分的分析测试结果 | 第48-51页 |
·XRD实验结果的验证 | 第51-53页 |
·XPS实验结果的验证 | 第53-55页 |
·小结 | 第55-57页 |
第五章 LED量子阱的分析测试 | 第57-62页 |
·量子阱特性 | 第57-58页 |
·FIB制样技术 | 第58-60页 |
·TEM测试结果 | 第60-61页 |
·小结 | 第61-62页 |
第六章 实验总结 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-66页 |
致谢 | 第66-67页 |