| CONTENS | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 薄膜晶体管简介 | 第13-16页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的发展历史 | 第14页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 薄膜晶体管的结构及工作原理 | 第16-19页 |
| 1.3.1 薄膜晶体管的结构 | 第16-18页 |
| 1.3.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第18-19页 |
| 1.4 薄膜晶体管的应用 | 第19-21页 |
| 1.4.1 TFT在AMLCD中的应用 | 第20页 |
| 1.4.2 TFT在AMOLED中的应用 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 样品制备与表征 | 第23-41页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第23-27页 |
| 2.1.1 MIS-560B型超高真空磁控溅射与离子束溅射复合镀膜设备 | 第23-25页 |
| 2.1.2 磁控溅射原理及特点 | 第25-27页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第27-34页 |
| 2.2.1 薄膜厚度的测量 | 第27-28页 |
| 2.2.2 薄膜透过率的测量 | 第28-29页 |
| 2.2.3 薄膜方块电阻的测量 | 第29-30页 |
| 2.2.4 薄膜霍尔效应的测量 | 第30-32页 |
| 2.2.5 薄膜结构特性的测量 | 第32-34页 |
| 2.3 a-IGZO TFT的制备 | 第34-37页 |
| 2.4 a-IGZO TFT的表征 | 第37-41页 |
| 第三章 溅射气体对a-IGZO TFT性能的影响 | 第41-52页 |
| 3.1 氧分压对a-IGZO TFT性能的影响 | 第41-47页 |
| 3.2 溅射压强对a-IGZO TFT性能的影响 | 第47-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 溅射功率和靶距对a-IGZO TFT性能的影响 | 第52-61页 |
| 4.1 溅射功率对a-IGZO TFT性能的影响 | 第52-55页 |
| 4.2 靶距对a-IGZO TFT性能的影响 | 第55-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第71-73页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第73页 |