| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 引言 | 第7-11页 |
| 第一节 集成电路的高速发展 | 第7-8页 |
| 第二节 集成度的提高引发的可靠性问题 | 第8-9页 |
| 第三节 本论文的主要内容 | 第9-11页 |
| 第一章 可靠性模型与互连失效分析方法 | 第11-20页 |
| 第一节 可靠性数据分析模型 | 第11-13页 |
| §1.1.1 可靠性工作的意义 | 第11页 |
| §1.1.2 可靠性常用的数学模型 | 第11-13页 |
| 第二节 失效分析 | 第13-15页 |
| §1.2.1 失效分析的起源与发展 | 第13-14页 |
| §1.2.2 失效分析的目的和意义 | 第14-15页 |
| 第三节 芯片失效模式及失效机理 | 第15-16页 |
| §1.3.1 芯片的失效模式 | 第15页 |
| §1.3.2 芯片的失效机理 | 第15-16页 |
| 第四节 芯片失效分析手段和失效分析设备 | 第16-20页 |
| §1.4.1 芯片失效分析手段 | 第16页 |
| §1.4.2 芯片失效分析设备 | 第16-19页 |
| §1.4.3 失效分析流程 | 第19-20页 |
| 第二章 工艺可靠性与电迁移原理 | 第20-25页 |
| 第一节 工艺可靠性 | 第20-22页 |
| 第二节 电迁移的原理 | 第22-25页 |
| 第三章 金属互连线的电迁移可靠性问题 | 第25-37页 |
| 第一节 电迁移的测量 | 第25-31页 |
| §3.1.1 传统封装级电迁移测试 | 第25-29页 |
| §3.1.2 晶圆级电迁移测试 | 第29-31页 |
| §3.1.3 多晶硅加热法 | 第31页 |
| 第二节 测试结果分析指导工艺改进 | 第31-37页 |
| 第四章 电迁移现象的检测及解决方法研究 | 第37-57页 |
| 第一节 金属互连线结构与电迁移寿命的关系研究 | 第37-43页 |
| §4.1.1 金属布线的不同线宽和线长的电迁移实验 | 第37-38页 |
| §4.1.2 实验结果数据分析 | 第38-42页 |
| §4.1.3 失效机理研究分析 | 第42-43页 |
| 第二节 铜金属1-2-1结构的优化研究 | 第43-50页 |
| §4.2.1 0.13um制程铜布线的电迁移测试结果 | 第44-45页 |
| §4.2.2 样品失效分析 | 第45-48页 |
| §4.2.3 失效原因研究 | 第48-49页 |
| §4.2.4 测试结构改进 | 第49-50页 |
| 第三节 90NM后段铜制程电迁移特性的改善 | 第50-57页 |
| §4.3.1 测试中遇到的问题 | 第50-52页 |
| §4.3.2 实验数据结果分析 | 第52-54页 |
| §4.3.3 工艺制程的改善与验证 | 第54-57页 |
| 第五章 总结和展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |