| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 背景介绍 | 第7-14页 |
| ·半导体产业的发展趋势 | 第7-9页 |
| ·失效分析在产业中的地位和作用 | 第9页 |
| ·半导体失效分析常用设备 | 第9-11页 |
| ·失效分析面临的挑战 | 第11-12页 |
| ·本选题的研究目的、意义和主要内容 | 第12-14页 |
| ·研究的目的和意义 | 第12-13页 |
| ·研究的主要内容 | 第13-14页 |
| 第二章 半导体材料、结构及结构缺陷的红外发光机理 | 第14-25页 |
| ·半导体材料发光机理 | 第14-16页 |
| ·直接或间接带间跃迁 | 第15-16页 |
| ·激子复合 | 第16页 |
| ·杂质能级与导带价带之间的跃迁 | 第16页 |
| ·带内跃迁 | 第16页 |
| ·半导体结构的发光机理 | 第16-19页 |
| ·正偏PN结 | 第16-17页 |
| ·反偏PN结 | 第17-18页 |
| ·绝缘介质层 | 第18-19页 |
| ·集成电路结构缺陷的发光机理 | 第19-24页 |
| ·闩锁效应 | 第19-21页 |
| ·热载流子效应 | 第21-22页 |
| ·绝缘介质层击穿 | 第22-23页 |
| ·ESD保护结构击穿 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 数字锁相光发射显微镜工作原理及参数设置 | 第25-39页 |
| ·光发射显微镜工作原理 | 第25-28页 |
| ·EMMI工作原理 | 第25-26页 |
| ·OBIRCH工作原理 | 第26-27页 |
| ·EMMI与OBIRCH的比较 | 第27-28页 |
| ·可被光发射显微镜探测到的光源分类 | 第28-29页 |
| ·场加速载流子的散射产生的发光(F-PE) | 第28页 |
| ·电子空穴对的辐射性复合产生的发光(R-PE) | 第28-29页 |
| ·光发射显微镜(PEM)设备结构 | 第29-31页 |
| ·数字锁相(Digital Lock-in)显示技术 | 第31-33页 |
| ·数字锁相显示技术软件面板及工作参数 | 第33-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 数字锁相光发射显微镜在不同失效机理下的应用 | 第39-54页 |
| ·闩锁效应相关失效下的应用 | 第39-43页 |
| ·静电放电相关失效下的应用 | 第43-46页 |
| ·功率器件漏电流的失效定位 | 第46-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |