基于电性测试的SRAM单元失效工程分析
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第5-9页 |
| 第二章 SRAM单元工作原理与失效机制 | 第9-13页 |
| 2.1 SRAM单元的工作原理分析 | 第9-11页 |
| 2.2 SRAM单元常见失效模式 | 第11-13页 |
| 第三章 失效建模与测试方法设计 | 第13-29页 |
| 3.1 适用于工程分析的SRAM失效建模 | 第13-15页 |
| 3.2 单元行为失效模式分析与测试设计 | 第15-24页 |
| 3.2.1 读破坏失效 | 第15-18页 |
| 3.2.2 数据转换失效 | 第18-21页 |
| 3.2.3 低压数据保持失效 | 第21-24页 |
| 3.3 晶体管工作电流测试原理与测试设计 | 第24-29页 |
| 3.3.1 IPDGa | 第25页 |
| 3.3.2 IPUGa | 第25-26页 |
| 3.3.3 IPDGb | 第26-27页 |
| 3.3.4 IPUGb | 第27-29页 |
| 第四章 综合数据分析与实测验证 | 第29-47页 |
| 4.1 事件 | 第29-30页 |
| 4.2 通过引入事件所进行的综合数据分析 | 第30-36页 |
| 4.2.1 事件集I到事件集R的推导 | 第30-32页 |
| 4.2.2 事件集R到事件集B2的推导 | 第32-35页 |
| 4.2.3 事件集R的最终验证 | 第35-36页 |
| 4.2.4 多值事件集R的处理 | 第36页 |
| 4.3 实测数据分析与验证 | 第36-47页 |
| 4.3.1 失效单元A | 第36-41页 |
| 4.3.2 失效单元B | 第41-43页 |
| 4.3.3 失效单元C | 第43-47页 |
| 第五章 总结和展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
