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N型多米诺门电路可靠性及泄漏功耗分析与优化

致谢第7-8页
摘要第8-9页
abstract第9-10页
第一章 绪论第15-26页
    1.1 课题研究的背景与意义第15-18页
    1.2 集成电路的可靠性与泄露功耗概述第18-21页
        1.2.1 集成电路的可靠性问题第18-20页
        1.2.2 集成电路的功耗第20-21页
    1.3 国内外研究现状第21-24页
        1.3.1 NBTI补偿技术第21-22页
        1.3.2 NBTI缓解技术第22-23页
        1.3.3 多米诺电路简要介绍第23-24页
    1.4 论文主要工作和内容安排第24-26页
        1.4.1 论文主要工作第24页
        1.4.2 内容安排第24-26页
第二章 研究工作基础第26-34页
    2.1 NBTI效应与模型第26-31页
        2.1.1 NBTI效应第26-28页
        2.1.2 NBTI模型第28-31页
    2.2 多米诺电路第31-32页
        2.2.1 多米诺电路的基本结构第31-32页
        2.2.2 多米诺电路的工作原理第32页
        2.2.3 多米诺电路的性能第32页
    2.3 HSPICE工具及模型第32-33页
    2.4 本章小结第33-34页
第三章 采用双阈值提高N型多米诺逻辑NBTI抗性第34-43页
    3.1 研究动机第34-35页
    3.2 N型多米诺或门的结构及工作原理第35-37页
    3.3 NBTI对N型多米诺或门影响第37-39页
    3.4 双阈值N型多米诺或门逻辑电路的设计第39-41页
    3.5 本章小结第41-43页
第四章 降低N型多米诺逻辑的功耗设计第43-51页
    4.1 研究动机第43页
    4.2 多米诺电路的功耗第43-46页
        4.2.1 多米诺电路的功耗组成第43-45页
        4.2.2 多米诺电路的功耗特性第45-46页
    4.3 可控管多米诺电路第46-47页
    4.4 实验与结果分析第47-50页
    4.5 本章小结第50-51页
第五章 结论与展望第51-53页
    5.1 研究总结第51-52页
    5.2 未来工作展望第52-53页
参考文献第53-57页
攻读硕士期间的学术活动及成果情况第57-58页

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