摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-22页 |
1.1 微电子封装技术概述 | 第9-10页 |
1.2 微电子封装技术发展趋势 | 第10-13页 |
1.2.1 微型化发展趋势 | 第10-11页 |
1.2.2 无铅化技术需求 | 第11-12页 |
1.2.3 Sn晶粒固有属性-各向异性 | 第12-13页 |
1.3 微型化引起的可靠性挑战-电迁移 | 第13-19页 |
1.3.1 电迁移物理机制 | 第13-15页 |
1.3.2 电迁移界面反应研究 | 第15-16页 |
1.3.3 电迁移导致的可靠性问题 | 第16-19页 |
1.4 电迁移和Sn晶粒取向相互作用研究进展 | 第19-21页 |
1.5 本论文研究目的和研究内容 | 第21-22页 |
2 样品制备与实验方法 | 第22-28页 |
2.1 线性焊点制备与电迁移测试 | 第22-24页 |
2.1.1 线性Cu/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu与Cu/Sn/Ni焊点制备 | 第22-23页 |
2.1.2 线性Cu/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu与Cu/Sn/Ni焊点电迁移实验 | 第23-24页 |
2.2 倒装焊点制备与电迁移测试 | 第24-25页 |
2.2.1 倒装Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu焊点制备 | 第24页 |
2.2.2 倒装Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu焊点原位电迁移实验 | 第24-25页 |
2.3 微观形貌与成分及取向表征 | 第25-28页 |
3 线性Cu/SAC305(Sn)/Cu(Ni)微焊点电迁移行为 | 第28-45页 |
3.1 引言 | 第28页 |
3.2 Cu/SAC305/Cu焊点 | 第28-38页 |
3.2.1 初始焊点的微观形貌 | 第28-30页 |
3.2.2 1 | 第30-36页 |
3.2.3 Sn晶粒取向对电迁移失效模式的影响 | 第36-38页 |
3.3 Cu/Sn/Ni焊点 | 第38-44页 |
3.3.1 初始焊点微观形貌 | 第39-40页 |
3.3.2 Cu/[001]Sn/Ni和Cu/[110]Sn/Ni焊点电迁移微观组织演变 | 第40-43页 |
3.3.3 Sn晶粒取向对阴极Ni基板溶解行为的影响 | 第43-44页 |
3.4 本章小结 | 第44-45页 |
4 倒装Ni/SAC305/Cu焊点电迁移行为 | 第45-66页 |
4.1 引言 | 第45页 |
4.2 倒装Ni/SAC305/Cu焊点初始形貌 | 第45-46页 |
4.3 倒装Ni/SAC305/Cu焊点电迁移微观形貌演变 | 第46-55页 |
4.3.1 电子从Cu基板流向NiUBM | 第46-52页 |
4.3.2 电子从Ni UBM流向Cu基板 | 第52-55页 |
4.4 阴极Cu基板溶解和Sn晶粒取向之间的关系模型 | 第55-57页 |
4.5 Cu_6Sn_5类型IMC的析出与分布机制 | 第57-61页 |
4.5.1 焊点中含多个晶粒 | 第57-58页 |
4.5.2 焊点只含一个晶粒 | 第58-59页 |
4.5.3 焊点内部IMC分布 | 第59-61页 |
4.6 应力松弛现象-Sn凸起或晶须 | 第61-65页 |
4.7 本章小结 | 第65-66页 |
结论 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-74页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第74-75页 |
致谢 | 第75-76页 |