摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 TFT的发展与应用 | 第11-14页 |
1.2.1 TFT的发展 | 第11-12页 |
1.2.2 氧化物TFT应用 | 第12-14页 |
1.3 TFT分类 | 第14-15页 |
1.3.1 硅基TFT | 第14-15页 |
1.3.2 有机TFT | 第15页 |
1.3.3 氧化物TFT | 第15页 |
1.4 本论文研究内容 | 第15-17页 |
参考文献 | 第17-19页 |
第2章 TFT原理、制备技术及表征方法 | 第19-29页 |
2.1 TFT结构 | 第19-20页 |
2.2 TFT工作原理 | 第20-22页 |
2.3 TFT性能参数 | 第22-23页 |
2.4 薄膜制备技术 | 第23-24页 |
2.5 薄膜表征方法 | 第24-25页 |
2.5.1 X射线衍射(XRD) | 第25页 |
2.5.2 原子力显微镜(AFM) | 第25页 |
2.5.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第25页 |
2.6 TFT电学测试 | 第25-26页 |
2.7 TFT光学测试 | 第26页 |
2.8 本章小结 | 第26-27页 |
参考文献 | 第27-29页 |
第3章 溶胶凝胶法制备ZrO_2薄膜 | 第29-41页 |
3.1 溶胶-凝胶法原理 | 第29页 |
3.2 ZrO_2性质、应用及其制备方法 | 第29-30页 |
3.3 ZrO_2薄膜的制备工艺 | 第30-32页 |
3.3.1 衬底的选择与处理 | 第30-31页 |
3.3.2 氧化锆胶体溶液的制备 | 第31页 |
3.3.3 匀胶成膜与退火 | 第31-32页 |
3.4 ZrO_2薄膜表征分析 | 第32-34页 |
3.4.1 薄膜XRD分析 | 第32-33页 |
3.4.2 薄膜原子力显微镜(AFM)分析 | 第33-34页 |
3.5 ZrO_2薄膜电学性质研究 | 第34-36页 |
3.5.1 ZrO_2薄膜漏电流测试 | 第35页 |
3.5.2 ZrO_2薄膜C-V及C-F测试 | 第35-36页 |
3.6 本章小结 | 第36-39页 |
参考文献 | 第39-41页 |
第4章 IZO-TFT制备及其反相器的研究 | 第41-59页 |
4.1 IZO-TFT的制备 | 第41-42页 |
4.2 IZO-TFT制备流程 | 第42-43页 |
4.3 IZO-TFT电学性能测试 | 第43-46页 |
4.3.1 不同氧氩比对IZO器件的电学性能影响 | 第43-44页 |
4.3.2 不同溅射功率对器件性能影响 | 第44-45页 |
4.3.3 不同沟道层厚度对IZO器件的电学性能影响 | 第45-46页 |
4.4 Si/SiO_2衬底上制备IZO-TFT及应用 | 第46-49页 |
4.4.1 IZO-TFT反相器的构造和性能测试 | 第46-48页 |
4.4.2 正偏压下IZO-TFT稳定性 | 第48-49页 |
4.5 透明IZO-TFT | 第49-54页 |
4.5.1 Glass/ ITO/ZrO_2薄膜的制备与表征 | 第49-51页 |
4.5.2 玻璃衬底IZO-TFT电学性能测试与应用 | 第51-54页 |
4.6 本章小结 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-59页 |
第5章 磁控溅射法制备P型Cu O–TFT研究 | 第59-67页 |
5.1 Cu基氧化物半导体材料简介 | 第59页 |
5.2 P型TFT工作原理 | 第59-60页 |
5.3 铜基氧化物TFT的制备 | 第60页 |
5.4 CuO薄膜表征 | 第60-61页 |
5.4.1 CuO薄膜XRD表征 | 第60-61页 |
5.4.2 CuO薄膜AFM表征 | 第61页 |
5.5 不同制备条件下CuO-TFT电学测试 | 第61-63页 |
5.5.1 不同退火温度下器件的输出曲线: | 第62-63页 |
5.5.2 不同退火温度下器件的转移曲线 | 第63页 |
5.6 Si/SiO_2衬底制备CuO-TFT | 第63-64页 |
5.7 本章小结 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-67页 |
第6章 全文总结 | 第67-69页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第69-71页 |
致谢 | 第71-72页 |