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氧化物薄膜晶体管和反相器的制备与性能研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第11-19页
    1.1 引言第11页
    1.2 TFT的发展与应用第11-14页
        1.2.1 TFT的发展第11-12页
        1.2.2 氧化物TFT应用第12-14页
    1.3 TFT分类第14-15页
        1.3.1 硅基TFT第14-15页
        1.3.2 有机TFT第15页
        1.3.3 氧化物TFT第15页
    1.4 本论文研究内容第15-17页
    参考文献第17-19页
第2章 TFT原理、制备技术及表征方法第19-29页
    2.1 TFT结构第19-20页
    2.2 TFT工作原理第20-22页
    2.3 TFT性能参数第22-23页
    2.4 薄膜制备技术第23-24页
    2.5 薄膜表征方法第24-25页
        2.5.1 X射线衍射(XRD)第25页
        2.5.2 原子力显微镜(AFM)第25页
        2.5.3 扫描电子显微镜(SEM)第25页
    2.6 TFT电学测试第25-26页
    2.7 TFT光学测试第26页
    2.8 本章小结第26-27页
    参考文献第27-29页
第3章 溶胶凝胶法制备ZrO_2薄膜第29-41页
    3.1 溶胶-凝胶法原理第29页
    3.2 ZrO_2性质、应用及其制备方法第29-30页
    3.3 ZrO_2薄膜的制备工艺第30-32页
        3.3.1 衬底的选择与处理第30-31页
        3.3.2 氧化锆胶体溶液的制备第31页
        3.3.3 匀胶成膜与退火第31-32页
    3.4 ZrO_2薄膜表征分析第32-34页
        3.4.1 薄膜XRD分析第32-33页
        3.4.2 薄膜原子力显微镜(AFM)分析第33-34页
    3.5 ZrO_2薄膜电学性质研究第34-36页
        3.5.1 ZrO_2薄膜漏电流测试第35页
        3.5.2 ZrO_2薄膜C-V及C-F测试第35-36页
    3.6 本章小结第36-39页
    参考文献第39-41页
第4章 IZO-TFT制备及其反相器的研究第41-59页
    4.1 IZO-TFT的制备第41-42页
    4.2 IZO-TFT制备流程第42-43页
    4.3 IZO-TFT电学性能测试第43-46页
        4.3.1 不同氧氩比对IZO器件的电学性能影响第43-44页
        4.3.2 不同溅射功率对器件性能影响第44-45页
        4.3.3 不同沟道层厚度对IZO器件的电学性能影响第45-46页
    4.4 Si/SiO_2衬底上制备IZO-TFT及应用第46-49页
        4.4.1 IZO-TFT反相器的构造和性能测试第46-48页
        4.4.2 正偏压下IZO-TFT稳定性第48-49页
    4.5 透明IZO-TFT第49-54页
        4.5.1 Glass/ ITO/ZrO_2薄膜的制备与表征第49-51页
        4.5.2 玻璃衬底IZO-TFT电学性能测试与应用第51-54页
    4.6 本章小结第54-55页
    参考文献第55-59页
第5章 磁控溅射法制备P型Cu O–TFT研究第59-67页
    5.1 Cu基氧化物半导体材料简介第59页
    5.2 P型TFT工作原理第59-60页
    5.3 铜基氧化物TFT的制备第60页
    5.4 CuO薄膜表征第60-61页
        5.4.1 CuO薄膜XRD表征第60-61页
        5.4.2 CuO薄膜AFM表征第61页
    5.5 不同制备条件下CuO-TFT电学测试第61-63页
        5.5.1 不同退火温度下器件的输出曲线:第62-63页
        5.5.2 不同退火温度下器件的转移曲线第63页
    5.6 Si/SiO_2衬底制备CuO-TFT第63-64页
    5.7 本章小结第64-65页
    参考文献第65-67页
第6章 全文总结第67-69页
攻读学位期间发表的学术论文目录第69-71页
致谢第71-72页

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