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掩模板光刻工艺研究

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第6-19页
 第一节 光掩膜简介第6-12页
 第二节 光掩膜制作流程第12-15页
 第三节 选题的背景和目的意义第15-16页
 第四节 本文的研究目标与内容第16-19页
第二章 电子束曝光技术第19-35页
 第一节 电子束光刻设备的最新进展第19-20页
 第二节 电子束光刻设备的原理和关键技术第20-23页
 第三节 电子束光刻设备重要部件介绍第23-25页
 第四节 实验设备简介第25-26页
 第五节 设备性能调整工艺第26-34页
 第六节 本章小结第34-35页
第三章 光刻胶工艺技术研究第35-46页
 第一节 光刻胶材料介绍第35-36页
 第二节 电子光刻胶工艺关键性能第36-38页
 第三节 光刻胶图形质量评价第38-39页
 第四节 光刻胶选型实验第39-45页
 第五节 本章小结第45-46页
第四章 电子束曝光邻近效应研究第46-54页
 第一节 邻近效应产生机制第46-47页
 第二节 邻近效应校正方法第47-48页
 第三节 散射参数第48-49页
 第四节 曝光剂量Dose和散射参数η提取实验第49-53页
 第五节 本章小结第53-54页
第五章 掩膜板临界尺寸均匀度光刻工艺补偿法第54-59页
 第一节 工艺对掩膜板临界尺寸均匀度的影响第54-55页
 第二节 实验设计思想第55-57页
 第三节 改善结果和讨论第57-58页
 第四节 本章小结第58-59页
第六章 总结和展望第59-61页
参考文献第61-64页
致谢第64-65页

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