TSV功耗模型及功耗分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·研究背景 | 第7-10页 |
| ·集成电路的发展历程 | 第7-8页 |
| ·集成电路工艺简介 | 第8页 |
| ·集成电路三维化 | 第8-10页 |
| ·研究现状 | 第10-12页 |
| ·研究目标及主要工作 | 第12-13页 |
| ·文章结构 | 第13-15页 |
| 第二章 TSV 功耗模型及参数提取 | 第15-29页 |
| ·TSV 封装技术的主要优势 | 第15页 |
| ·TSV 的关键技术 | 第15-18页 |
| ·通孔制作 | 第16页 |
| ·通孔绝缘 | 第16页 |
| ·通孔金属沉积 | 第16页 |
| ·通孔阻挡层的填镀 | 第16-17页 |
| ·圆片的减薄工艺 | 第17-18页 |
| ·TSV 键合技术 | 第18页 |
| ·TSV 的结构 | 第18-24页 |
| ·仿真软件介绍（HSPICE） | 第24-26页 |
| ·仿真软件介绍（Ansoft’s HFSS） | 第26-28页 |
| ·HFSS 发展历程 | 第26-28页 |
| ·HFSS 仿真流程 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 单个 TSV 功耗分析 | 第29-41页 |
| ·工艺改变对 TSV 中电阻的影响 | 第29-31页 |
| ·TSV 长度对其产生的影响 | 第30页 |
| ·TSV 铜导线半径对其产生的影响 | 第30-31页 |
| ·工艺改变对 TSV 氧化层电容的影响 | 第31-32页 |
| ·TSV 长度变化对其产生的影响 | 第31页 |
| ·金属半径变化对氧化层电容产生的影响 | 第31-32页 |
| ·氧化层厚度对氧化层电容产生的影响 | 第32页 |
| ·工艺改变对 TSV 耗尽层电容的影响 | 第32-35页 |
| ·TSV 长度变化对耗尽层电容产生的影响 | 第33页 |
| ·金属半径变化对耗尽层电容产生的影响 | 第33-34页 |
| ·氧化层厚度对耗尽层电容产生的影响 | 第34-35页 |
| ·衬底掺杂浓度的变化对耗尽层电容的影响 | 第35页 |
| ·工艺改变对 TSV 电感的影响 | 第35-37页 |
| ·TSV 长度变化对电感产生的影响 | 第35-36页 |
| ·金属半径变化对电感产生的影响 | 第36-37页 |
| ·单个 TSV 的功耗分析 | 第37-40页 |
| ·TSV 长度 LTSV 变化对功耗的影响 | 第38页 |
| ·金属半径变化对 TSV 功耗产生的影响 | 第38-39页 |
| ·氧化层厚度对 TSV 功耗产生的影响 | 第39-40页 |
| ·衬底掺杂浓度对 TSV 功耗产生的影响 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 两个 TSV 功耗分析 | 第41-53页 |
| ·两个 TSV 的结构模型 | 第41-42页 |
| ·两个 TSV 功耗分析 | 第42-48页 |
| ·Π模型分析 | 第42-43页 |
| ·T 模型分析 | 第43-44页 |
| ·传输线模型分析 | 第44-48页 |
| ·TSV 工艺尺寸改变时功耗的变化 | 第48-50页 |
| ·TSV 长度发生变化 | 第48-49页 |
| ·TSV 金属半径发生变化 | 第49-50页 |
| ·TSV 氧化层厚度发生改变 | 第50页 |
| ·TSV 硅衬底的电导率发生变化 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| ·总结 | 第53页 |
| ·未来工作展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
