新型低势垒接触体系研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-7页
第一章 绪论	第7-18页
·集成电路与摩尔定律	第7-9页
·金属硅化物	第9-12页
·肖特基源漏晶体管	第12-18页
第二章 实验方法与表征手段	第18-29页
·样品制备手段	第18-20页
·蒸发	第18-19页
·溅射	第19-20页
·样品表征方法	第20-29页
·薄层电阻和四探针	第20-22页
·X射线衍射	第22-23页
·俄歇电子能谱	第23-25页
·卢瑟福背散射	第25-27页
·电流-电压测试和参数提取	第27-29页
第三章 用于肖特基势垒高度提取的导纳谱法	第29-40页
·引言	第29-30页
·理论基础与公式推导	第30-32页
·理论验证	第32-34页
·W肖特基势垒提取与结果讨论	第34-38页
·Pt肖特基势垒提取与结果讨论	第38-39页
·本章小结	第39-40页
第四章 Ni(Yb)硅化反应特性研究	第40-49页
·引言	第40-41页
·样品的制备与测试	第41页
·Yb掺杂对Ni硅化物形成的影响	第41-44页
·Yb在NiSi中的再分布	第44-46页
·Yb掺杂对NiSi/Si肖特基势垒高度的影响	第46-48页
·本章小结	第48-49页
第五章 Yb、Er与多晶锗硅反应研究	第49-61页
·引言	第49页
·多晶锗硅薄膜的制备与测试	第49-52页
·Yb、Er与多晶锗硅固相反应	第52-60页
·本章小结	第60-61页
第六章 总结和展望	第61-62页
参考文献	第62-68页
致谢	第68-69页
硕士期间发表论文和专利目录	第69-70页