| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| ·集成电路工艺对互连薄膜的要求 | 第7-8页 |
| ·金属硅化物薄膜的性质和机理 | 第8-11页 |
| ·金属硅化物的应用及存在问题 | 第11-12页 |
| ·应用于制作肖特基势垒二极管 | 第11-12页 |
| ·应用于降低CMOS接触电阻 | 第12页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第12-13页 |
| 第二章 金属硅化物PtSi和TiSi2的制备过程 | 第13-24页 |
| ·应用于肖特基二极管的金属硅化物PtSi | 第13-16页 |
| ·肖特基二极管的原理 | 第13-15页 |
| ·金属硅化物PtSi | 第15-16页 |
| ·应用于接触孔的金属硅化物TiSi2 | 第16-19页 |
| ·欧姆接触 | 第16-18页 |
| ·金属硅化物TiSi2 | 第18-19页 |
| ·金属硅化物PtSi与TiSi2的制备 | 第19-23页 |
| ·溅射工艺及设备 | 第19-22页 |
| ·快速热退火工艺及设备 | 第22-23页 |
| ·金属硅化物PtSi与TiSi2在同一工艺中的工艺设计 | 第23-24页 |
| 第三章 金属硅化物PtSi和TiSi2的工艺实验及分析测试 | 第24-42页 |
| ·表征金属硅化物PtSi与TiSi2性能的主要参数 | 第24页 |
| ·采用俄歇分析法表征金属硅化物/硅界面性能 | 第24-26页 |
| ·金属硅化物/硅界面性能测试 | 第26-33页 |
| ·肖特基二极管正向压降(VF)以及反向漏电流(Bv)测试 | 第26-29页 |
| ·金-半接触孔电阻PCM性能测试 | 第29-33页 |
| ·通过工艺程序的调试获得工艺要求的金属硅化物PtSi | 第33-38页 |
| ·淀积Pt的厚度对PtSi硅化物的影响 | 第34-35页 |
| ·RTP退火对PtSi硅化物的影响 | 第35-38页 |
| ·PtSi与TiSi2在同一工艺中的流程 | 第38-41页 |
| ·TiSi2的工艺流程(掩膜版Mask1) | 第38-39页 |
| ·PtSi的工艺流程(掩膜版Mask2) | 第39-40页 |
| ·后端金属化工艺 | 第40-41页 |
| ·硅化物在产品上的监控和表征 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 硅化物应用中存在问题及DOE试验优化 | 第42-53页 |
| ·扩散阻挡层(BARRIER LAYER)的选择 | 第42-47页 |
| ·扩散阻挡层(barrier layer) | 第42页 |
| ·DOE实验设计 | 第42-43页 |
| ·DOE试验结果 | 第43-47页 |
| ·PtSi应用于肖特基二极管中存在问题及优化 | 第47-48页 |
| ·Pt沾污失效机理 | 第47-48页 |
| ·预防Pt沾污的控制方法 | 第48页 |
| ·TiSi2应用于欧姆接触存在问题及优化 | 第48-52页 |
| ·TiSi2的窄线宽效应 | 第48-51页 |
| ·探寻解决方法 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
