| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-20页 |
| ·后端互连工艺 | 第7-15页 |
| ·后端互连工艺引言 | 第7-10页 |
| ·降低介质材料的介电常数的途径 | 第10-11页 |
| ·理想的低k材料的特性 | 第11-12页 |
| ·低介电常数薄膜的发展和研究现状 | 第12-15页 |
| ·后端封装工艺 | 第15-20页 |
| ·卷带设计与制造 | 第16-17页 |
| ·金块制作 | 第17-19页 |
| ·内引脚接合(ILB) | 第19页 |
| ·外引脚接合(OLB) | 第19页 |
| ·封胶与电性测试 | 第19-20页 |
| 第2章 SICON薄膜的淀积工艺研究 | 第20-32页 |
| ·引言 | 第20-22页 |
| ·制备设备及表征方法 | 第22-23页 |
| ·实验设计与分析 | 第23-31页 |
| ·气源对SiCON薄膜的影响 | 第23-24页 |
| ·温度与RF power对SiCON薄膜的影响 | 第24-29页 |
| ·退火处理对SiCON薄膜的影响 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 射频功率(RF POWER)对掺C掺N氧化硅(SICON)低介电常数薄膜的影响研究 | 第32-46页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·制备设备及表征方法 | 第32-33页 |
| ·薄膜制备 | 第33-34页 |
| ·实验结果及分析 | 第34-44页 |
| ·介电常数以及淀积速率 | 第34-36页 |
| ·FTIR分析 | 第36-38页 |
| ·XPS分析 | 第38-41页 |
| ·Ⅳ结果 | 第41-44页 |
| ·退火分析 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 后道封装工艺中内引脚接合(ILB)过程的参数实验优化及模拟 | 第46-54页 |
| ·ILB概述 | 第46-47页 |
| ·金锡共熔合金 | 第46-47页 |
| ·ILB接合方法 | 第47页 |
| ·相关技术简介 | 第47-48页 |
| ·实验设置 | 第48-50页 |
| ·实验结果分析 | 第50-52页 |
| ·有限元模拟及分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 后道封装中基于新能量模型的TCP热疲劳寿命预测 | 第54-61页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·分析模型 | 第55-57页 |
| ·结构模型 | 第55-56页 |
| ·材料模型 | 第56页 |
| ·热循环荷载条件 | 第56-57页 |
| ·模拟及计算结果分析 | 第57-60页 |
| ·分析与计算 | 第57-59页 |
| ·结果验证 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第6章 总结与展望 | 第61-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 硕士阶段完成论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
