| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| ·集成电路发展概述 | 第9-11页 |
| ·0.18 um 工艺概述 | 第11-25页 |
| ·本文的研究背景及主要内容 | 第25-26页 |
| 第二章 0.18UM 电源管理器漏电流失效分析 | 第26-36页 |
| ·电源管理器的结构分析 | 第26页 |
| ·漏电流失效现象与分析 | 第26-32页 |
| ·漏电流失效现象 | 第26-30页 |
| ·FA 分析 | 第30-32页 |
| ·失效机理分析 | 第32-35页 |
| ·有源区边缘形貌机理分析 | 第32-33页 |
| ·有源区边缘位错机理分析 | 第33-35页 |
| 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 STI 边缘栅氧层厚度优化控制 | 第36-39页 |
| ·实验设计 | 第36-37页 |
| ·实验结果与分析 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第四章 厚栅氧诱导位错优化控制 | 第39-48页 |
| ·实验设计 | 第39-43页 |
| ·实验结果与讨论 | 第43-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第五章 可靠性测试 | 第48-51页 |
| 第六章 结束语 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 读学位期间发表的学术论文 | 第55-57页 |