起动用芯片制备工艺及性能的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 PTC效应的物理模型 | 第10-14页 |
| 1.2 PTC陶瓷的基本特性 | 第14-19页 |
| 1.2.1 电阻—温度（R/T）特性 | 第14-16页 |
| 1.2.2 电流—时间(I/t)特性 | 第16页 |
| 1.2.3 伏-安（V/A)特性 | 第16-18页 |
| 1.2.4 动态耐压（Flash） | 第18-19页 |
| 1.3 起动用PTC陶瓷芯片的工作原理 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文主要研究的内容 | 第20-21页 |
| 第二章 PTC陶瓷制备工艺 | 第21-36页 |
| 2.1 PTC陶瓷结构 | 第21-23页 |
| 2.2 PTC陶瓷芯片工艺流程 | 第23-36页 |
| 2.2.1 配料 | 第25-29页 |
| 2.2.1.1 原材料称量 | 第25页 |
| 2.2.1.2 一次磨料 | 第25-26页 |
| 2.2.1.3 脱水干燥 | 第26页 |
| 2.2.1.4 仮烧 | 第26-27页 |
| 2.2.1.5 二次磨料 | 第27-29页 |
| 2.2.1.6 造粒 | 第29页 |
| 2.2.2 成型 | 第29-30页 |
| 2.2.3 烧结 | 第30-33页 |
| 2.2.4 化学镀镍 | 第33-34页 |
| 2.2.4.1 敏化 | 第33页 |
| 2.2.4.2 活化 | 第33-34页 |
| 2.2.4.3 镀镍 | 第34页 |
| 2.2.4.4 热处理 | 第34页 |
| 2.2.5 印银 | 第34-36页 |
| 第三章 PTC陶瓷芯片失效分析 | 第36-42页 |
| 3.1 PTC陶瓷芯片的失效机理分析 | 第36-37页 |
| 3.1.1 电压击穿 | 第36-37页 |
| 3.1.2 电流击穿（热击穿） | 第37页 |
| 3.2 失效品的模式及机理分析 | 第37-42页 |
| 3.2.1 电火花失效模式 | 第37-38页 |
| 3.2.2 碎片失效模式 | 第38页 |
| 3.2.3 熔洞失效模式 | 第38-39页 |
| 3.2.4 层裂失效模式 | 第39-42页 |
| 第四章 配料工艺及性能的研究 | 第42-48页 |
| 4.1 配方 | 第42-43页 |
| 4.2 仮烧 | 第43-45页 |
| 4.2.1 试验计划 | 第43页 |
| 4.2.2 试验方案及结果 | 第43-45页 |
| 4.3 二次磨料 | 第45-47页 |
| 4.3.1 试验计划 | 第46页 |
| 4.3.2 试验方案及结果 | 第46-47页 |
| 4.4 小结 | 第47-48页 |
| 第五章 成烧工艺及性能的研究 | 第48-58页 |
| 5.1 成型 | 第48-50页 |
| 5.1.1 试验计划 | 第48-49页 |
| 5.1.2 试验方案及结果 | 第49-50页 |
| 5.2 烧结 | 第50-57页 |
| 5.2.1 试验计划 | 第51页 |
| 5.2.2 试验方案及结果 | 第51-57页 |
| 5.2.2.1 SY04试验方案及结果 | 第51-54页 |
| 5.2.2.2 SY05试验方案及结果 | 第54-57页 |
| 5.3 小结 | 第57-58页 |
| 第六章 电极制备工艺及性能的研究 | 第58-67页 |
| 6.1 化学镀镍 | 第58-62页 |
| 6.1.1 试验计划 | 第58页 |
| 6.1.2 试验方案及结果 | 第58-62页 |
| 6.2 印银 | 第62-66页 |
| 6.2.1 试验计划 | 第63页 |
| 6.2.1.1 银层厚度的试验 | 第63页 |
| 6.2.1.2 银浆银含量的试验 | 第63页 |
| 6.2.2 试验方案及结果 | 第63-66页 |
| 6.2.2.1 试验方案 | 第63页 |
| 6.2.2.2 试验结果 | 第63-66页 |
| 6.3 小结 | 第66-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
