摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-23页 |
1.1 现代微电子制造业中的封装互连 | 第11-13页 |
1.2 引线键合工艺简介 | 第13-18页 |
1.2.1 引线键合技术的分类 | 第13-14页 |
1.2.2 热超声引线键合技术的基本形式 | 第14-18页 |
1.2.3 引线键合技术的质量检测标准 | 第18页 |
1.3 引线键合的研究现状及未来发展 | 第18-21页 |
1.3.1 设备及材料研究 | 第18-19页 |
1.3.2 工艺技术及工艺方法研究 | 第19-21页 |
1.4 论文研究的内容及意义 | 第21-23页 |
第二章 热超声键合界面快速形成 | 第23-30页 |
2.1 键合材料的表面氧化膜去除机理 | 第23-25页 |
2.2 超声界面快速扩散通道机理 | 第25-26页 |
2.2.1 扩散的本质 | 第25-26页 |
2.2.2 影响键合界面原子扩散的因素 | 第26页 |
2.3 键合界面的扩散驱动力和键合强度形成机理 | 第26-28页 |
2.4 小结 | 第28-30页 |
第三章 超声功率和键合压力的单因素工艺实验 | 第30-59页 |
3.1 实验材料 | 第31-37页 |
3.1.1 金丝键合平台 | 第31-33页 |
3.1.2 键合强度测试设备 | 第33页 |
3.1.3 观测设备 | 第33-34页 |
3.1.4 其它的实验材料 | 第34-37页 |
3.1.4.1 引线和劈刀 | 第34-35页 |
3.1.4.2 芯片与陶瓷基板 | 第35-37页 |
3.2 引线键合质量的检验方法 | 第37-38页 |
3.3 楔形键合的实验方案 | 第38-50页 |
3.3.1.实验步骤 | 第38-39页 |
3.3.2 实验过程与结果 | 第39-50页 |
3.3.2.1 一焊超声功率参数实验结果 | 第39-44页 |
3.3.2.2 一焊键合压力参数实验结果 | 第44-47页 |
3.3.2.3 二焊超声功率参数实验结果 | 第47-49页 |
3.3.2.4 二焊键合压力参数实验结果 | 第49-50页 |
3.4 球形键合的实验方案 | 第50-57页 |
3.4.1.实验步骤 | 第50-51页 |
3.4.2 实验过程与结果 | 第51-57页 |
3.4.2.1 一焊超声功率参数实验结果 | 第51-52页 |
3.4.2.2 一焊键合压力参数实验结果 | 第52-54页 |
3.4.2.3 二焊超声功率参数实验结果 | 第54-55页 |
3.4.2.4 二焊键合压力参数实验结果 | 第55-57页 |
3.5 本章小结 | 第57-59页 |
第四章 超声功率和键合压力的多因素正交实验 | 第59-70页 |
4.1 正交实验的原理 | 第59-60页 |
4.1.1 正交实验的指标、因素与水平 | 第59-60页 |
4.1.2 正交表的设计 | 第60页 |
4.1.3 正交实验步骤 | 第60页 |
4.2 楔形键合正交实验方案 | 第60-65页 |
4.2.1 选取工艺参数研究对象 | 第60-61页 |
4.2.2 设计楔形键合的正交实验因素水平表 | 第61页 |
4.2.3 极差分析法介绍 | 第61-62页 |
4.2.4 第一焊点正交实验结果与极差分析 | 第62-63页 |
4.2.5 第二焊点正交实验结果与极差分析 | 第63-65页 |
4.3 球形键合实验方案 | 第65-68页 |
4.3.1 根据工艺参数设计球形键合正交实验因素水平表 | 第65页 |
4.3.2 第一焊点正交实验设计与结果的极差分析 | 第65-67页 |
4.3.3 第二焊点正交实验设计与结果的极差分析 | 第67-68页 |
4.4 本章小结 | 第68-70页 |
第五章 结论与展望 | 第70-72页 |
5.1 全文总结 | 第70-71页 |
5.2 工作展望 | 第71-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-76页 |