| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 引言 | 第9-19页 |
| 1.1 综述 | 第9-17页 |
| 1.1.1 背景概要 | 第9页 |
| 1.1.2 纳米晶体非易失性存储器结构与特点 | 第9-11页 |
| 1.1.3 纳米晶存储器的电学特性 | 第11-13页 |
| 1.1.4 纳米晶存储器中的纳米晶制备工艺 | 第13-14页 |
| 1.1.5 新型纳米晶存储器的研究 | 第14-17页 |
| 1.2 本文研究意义及主要内容 | 第17-19页 |
| 2 同步金属薄膜原位纳米晶化法的机理研究 | 第19-30页 |
| 2.1 非晶退火晶化法的机理简介 | 第19-20页 |
| 2.2 非晶退火晶化法在IC 中的应用 | 第20-22页 |
| 2.2.1 自集合纳米晶形成工艺（Self-Assembled Nanocrystal Formation） | 第20-21页 |
| 2.2.2 自集合纳米晶形成工艺的晶化机理 | 第21-22页 |
| 2.3 同步金属薄膜原位纳米晶化法的实现性研究 | 第22-29页 |
| 2.3.1 溅射过程中等离子体对溅射离子的加速作用 | 第24页 |
| 2.3.2 等离子体鞘层 | 第24-25页 |
| 2.3.3 等离子体鞘层对溅射离子的加速作用 | 第25-26页 |
| 2.3.4 溅射过程中溅射碰撞的机理 | 第26-28页 |
| 2.3.5 调整腔内工艺参数以优化溅射离子状态 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 同步金属薄膜原位纳米晶化法制备钨金属纳米晶薄膜 | 第30-42页 |
| 3.1 金属纳米晶材料的选择 | 第30-33页 |
| 3.1.1 采用模型进行计算时所考虑的影响因素 | 第30-31页 |
| 3.1.2 金属纳米晶功函数对器件保持能力的影响 | 第31-32页 |
| 3.1.3 选择金属钨的原因 | 第32-33页 |
| 3.2 实验过程 | 第33-37页 |
| 3.2.1 实验样品的制备 | 第33-35页 |
| 3.2.2 样品制备过程中同步原位溅射加热工艺的分析 | 第35-36页 |
| 3.2.3 观测样品的制备 | 第36-37页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第37-40页 |
| 3.3.1 观测结果 | 第37-39页 |
| 3.3.2 观测结果讨论 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 4 高K 氧化层堆栈结构的制备研究 | 第42-49页 |
| 4.1 采用高K 氧化层进行研究的背景介绍 | 第42-46页 |
| 4.1.1 SiO_2栅介质减薄带来的问题 | 第43-44页 |
| 4.1.2 高K 材料能够解决SiO_2栅介质减薄带来的问题 | 第44-45页 |
| 4.1.3 本课题研究所选用的高K 材料 | 第45-46页 |
| 4.2 采用氧化铝氧化层的金属纳米晶堆栈结构 | 第46-48页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第46页 |
| 4.2.2 实验结果与讨论 | 第46-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 5 全文总结与展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第57-58页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第58-60页 |
