| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-21页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第14-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第18-19页 |
| 1.4 论文的组织结构 | 第19-21页 |
| 第二章 单粒子效应理论基础 | 第21-31页 |
| 2.1 单粒子效应的产生机理 | 第21-24页 |
| 2.2 单粒子瞬态的传播 | 第24-26页 |
| 2.3 单粒子瞬态模拟方法 | 第26-28页 |
| 2.3.1 基于器件级的仿真模拟 | 第26-27页 |
| 2.3.2 基于电路级的仿真模拟 | 第27页 |
| 2.3.3 基于器件-电路级的仿真模拟 | 第27-28页 |
| 2.4 电流源注入脉冲模型 | 第28-29页 |
| 2.4.1 双指数注入脉冲模型 | 第28页 |
| 2.4.2 瞬态注入脉冲模型 | 第28-29页 |
| 2.5 反相器翻转机制 | 第29-30页 |
| 2.6 本章小节 | 第30-31页 |
| 第三章 器件级单粒子效应研究 | 第31-50页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 三维器件模型建立 | 第31-38页 |
| 3.2.1 Sentaurus TCAD工具简介 | 第31-32页 |
| 3.2.2 三维器件建模与工艺校准 | 第32-35页 |
| 3.2.3 重离子仿真参数设置 | 第35-38页 |
| 3.3 粒子入射位置对SET脉冲的影响 | 第38-45页 |
| 3.3.1 NMOS器件入射位置改变对SET的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.2 PMOS器件入射位置改变对SET的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.3 反相器入射位置改变对SET的影响 | 第41-45页 |
| 3.4 LET值对SET脉冲的影响 | 第45-48页 |
| 3.4.1 NMOS LET值改变对SET的影响 | 第45-46页 |
| 3.4.2 PMOS LET值改变对SET的影响 | 第46页 |
| 3.4.3 反相器LET值改变对SET的影响 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小节 | 第48-50页 |
| 第四章 一维独立SET电流脉冲注入模型研究 | 第50-69页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 PN结一维SET电流脉冲建模 | 第50-56页 |
| 4.2.1 PN结一维SET电流脉冲模型 | 第50-52页 |
| 4.2.2 PN结一维SET电流脉冲模型修正 | 第52-56页 |
| 4.3 单个晶体管SET脉冲建模 | 第56-63页 |
| 4.3.1 一维电流源注入模型修正 | 第56-57页 |
| 4.3.2 NMOS双极放大效应与入射位置的关系 | 第57-60页 |
| 4.3.3 PMOS双极放大效应与入射位置的关系 | 第60-63页 |
| 4.4 SPICE仿真验证 | 第63-68页 |
| 4.4.1 PN结SET电流脉冲模型验证 | 第63-65页 |
| 4.4.2 单个晶体管SET电流脉冲模型验证 | 第65-68页 |
| 4.5 本章小节 | 第68-69页 |
| 第五章 一维耦合SET电流脉冲注入模型研究 | 第69-81页 |
| 5.1 引言 | 第69页 |
| 5.2 独立电流源与耦合电流源的区别 | 第69-72页 |
| 5.3 一维耦合SET电流脉冲注入模型建模 | 第72-76页 |
| 5.4 SPICE仿真验证 | 第76-80页 |
| 5.5 本章小节 | 第80-81页 |
| 第六章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-89页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第89页 |