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半解析法和半经验法在SOI和MOSFET建模中的研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 传统MOSFET的发展和挑战第9-11页
    1.2 SOI MOSFET结构和特点第11-12页
    1.3 SOI技术研究和发展现状第12页
    1.4 本文的研究意义和方法第12-14页
    1.5 各章节内容介绍第14-16页
第2章 SOI MOSFET二维半解析模型第16-30页
    2.1 经典SOI解析模型第18-21页
    2.2 全耗尽SOI的二维半解析模型第21-25页
    2.3 高k+SiO_2栅SOI的二维半解析模型第25-29页
    2.4 本章小结第29-30页
第3章 半解析模型的求解第30-37页
    3.1 二维边界值问题的解第30-33页
    3.2 解的线性代数方程组第33-34页
    3.3 模型电势对比第34-36页
    3.4 本章小结第36-37页
第4章 阈值电压半解析模型第37-52页
    4.1 解阈值电压的求解第37-41页
    4.2 阈值电压分析比较第41-47页
    4.3 DIBL效应第47-49页
    4.4 量子效应第49-51页
    4.5 本章小结第51-52页
第5章 MOSFET电阻的半经验模型第52-62页
    5.1 半经验公式第52-56页
    5.2 多元线性回归方法第56-57页
    5.3 模型结果比较第57-61页
    5.4 本章小结第61-62页
第6章 总结和展望第62-63页
参考文献第63-67页
致谢第67-68页
攻读硕士学位期间发表的论文第68页
参与的科研项目第68页

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