半解析法和半经验法在SOI和MOSFET建模中的研究
摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-16页 |
1.1 传统MOSFET的发展和挑战 | 第9-11页 |
1.2 SOI MOSFET结构和特点 | 第11-12页 |
1.3 SOI技术研究和发展现状 | 第12页 |
1.4 本文的研究意义和方法 | 第12-14页 |
1.5 各章节内容介绍 | 第14-16页 |
第2章 SOI MOSFET二维半解析模型 | 第16-30页 |
2.1 经典SOI解析模型 | 第18-21页 |
2.2 全耗尽SOI的二维半解析模型 | 第21-25页 |
2.3 高k+SiO_2栅SOI的二维半解析模型 | 第25-29页 |
2.4 本章小结 | 第29-30页 |
第3章 半解析模型的求解 | 第30-37页 |
3.1 二维边界值问题的解 | 第30-33页 |
3.2 解的线性代数方程组 | 第33-34页 |
3.3 模型电势对比 | 第34-36页 |
3.4 本章小结 | 第36-37页 |
第4章 阈值电压半解析模型 | 第37-52页 |
4.1 解阈值电压的求解 | 第37-41页 |
4.2 阈值电压分析比较 | 第41-47页 |
4.3 DIBL效应 | 第47-49页 |
4.4 量子效应 | 第49-51页 |
4.5 本章小结 | 第51-52页 |
第5章 MOSFET电阻的半经验模型 | 第52-62页 |
5.1 半经验公式 | 第52-56页 |
5.2 多元线性回归方法 | 第56-57页 |
5.3 模型结果比较 | 第57-61页 |
5.4 本章小结 | 第61-62页 |
第6章 总结和展望 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68页 |
参与的科研项目 | 第68页 |