| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 引言 | 第7-9页 |
| 1.2 AlGaInP红光LED国内外发展现状 | 第9-12页 |
| 1.3 本课题研究意义及内容 | 第12-13页 |
| 第二章 高亮度AlGaInP LED发光原理和设备 | 第13-27页 |
| 2.1 四元系材料AlGaInP的特点 | 第13-14页 |
| 2.2 LED的发光原理 | 第14-17页 |
| 2.2.1 辐射复合 | 第15-16页 |
| 2.2.2 非辐射复合 | 第16-17页 |
| 2.3 AlGaInP红光LED外延片的结构 | 第17-20页 |
| 2.4 AlGaInP红光LED外延片制造工艺及生长设备简介 | 第20-23页 |
| 2.4.1 AlGaInP红光LED芯片制造工艺简介 | 第20页 |
| 2.4.2 AlGaInP红光LED芯片生长设备简介 | 第20-23页 |
| 2.5 AlGaInP红光LED外延片主要检测设备 | 第23-27页 |
| 2.5.1 X射线双晶衍射仪(XRD) | 第24页 |
| 2.5.2 光致发光光谱测试法(PL) | 第24-25页 |
| 2.5.3 电化学微分电容电压法测试(ECV) | 第25-27页 |
| 第三章 AlGaInP红光LED外延片生长优化 | 第27-45页 |
| 3.1 AlGaInP红光LED的DBR反射镜的生长优化 | 第27-33页 |
| 3.2 N型与P型掺杂的优化 | 第33-37页 |
| 3.3 量子阱的优化 | 第37-39页 |
| 3.4 接触层的优化 | 第39-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 AlGaInP红光LED规模化生产技术研究 | 第45-51页 |
| 4.1 拆炉维护的控制 | 第45-46页 |
| 4.2 波长的控制 | 第46-48页 |
| 4.3 电压的控制 | 第48-49页 |
| 4.4 亮度的控制 | 第49页 |
| 4.5 量产化的总结 | 第49-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 在读期间发表论文和参加科研项目 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
