| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-27页 |
| ·前言 | 第14-21页 |
| ·集成电路发展简史 | 第14-16页 |
| ·先进的铜互连工艺 | 第16-21页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积 | 第21-24页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积 | 第21-23页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积制备氮化硅薄膜 | 第23-24页 |
| ·选题的缘由与目的 | 第24-27页 |
| 第二章 大马士革铜互连球状缺陷的形成机制 | 第27-31页 |
| ·铜污染所形成的球状缺陷 | 第27-28页 |
| ·前道工序残留应力所形成的球状缺陷 | 第28-29页 |
| ·微小颗粒所形成的球状缺陷 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 大马士革铜互连球状缺陷失效机理 | 第31-35页 |
| ·球状缺陷引起漏电的失效机理 | 第31-33页 |
| ·前道工序残留应力引起的空洞失效机理 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 球状缺陷引起漏电的优化实验 | 第35-48页 |
| ·实验准备 | 第35-36页 |
| ·应用材料公司的氮化硅薄膜沉积程式 | 第36-38页 |
| ·氮化硅薄膜的表征 | 第38-39页 |
| ·球状缺陷造成漏电的测试方法 | 第39-40页 |
| ·实验优化设计 | 第40-46页 |
| ·田口直交实验法 | 第40-42页 |
| ·品质计量方法 | 第42页 |
| ·不良率分析法 | 第42-43页 |
| ·制程能力 | 第43页 |
| ·S/N比 | 第43-46页 |
| ·三种品质计量方法之比较 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 氮化硅薄膜沉积工艺中对氨等离子预处理的优化 | 第48-61页 |
| ·工艺参数对球状缺陷的影响 | 第48-54页 |
| ·实验设计 | 第48-49页 |
| ·工艺参数对氮化硅薄膜品质的影响 | 第49-50页 |
| ·工艺参数对球状缺陷影响的结果分析 | 第50-54页 |
| ·工艺参数的进一步优化 | 第54-59页 |
| ·射频功率对球状缺陷影响的实验设计 | 第54-55页 |
| ·射频功率对氮化硅薄膜品质的影响 | 第55-56页 |
| ·射频功率对球状缺陷影响的结果分析 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 氮化硅薄膜沉积工艺中对氮化硅预沉积的优化 | 第61-67页 |
| 6 1 工艺参数对球状缺陷的影响 | 第61-64页 |
| ·实验设计 | 第61-62页 |
| ·工艺参数对氮化硅薄膜品质的影响 | 第62-63页 |
| ·工艺参数对球状缺陷影响的结果分析 | 第63-64页 |
| ·氮化硅沉积薄膜优化后的实际应用 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第七章 前道工序残留应力的优化 | 第67-71页 |
| ·前道工序残留应力的影响应力迁移 | 第67-68页 |
| ·前道工序残留应力的分析 | 第68-69页 |
| ·前道工序残留应力的改善措施 | 第69页 |
| ·前道工序残留应力改善措施的结果分析 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第八章 总结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第76-77页 |