优化铜种子层对电镀铜孔洞缺陷的改善

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
引言	第5-6页
第一章 半导体互连工艺	第6-14页
第一节 铝互连工艺	第6-7页
第二节 铜互连工艺	第7-11页
第三节 互连工艺的发展推动力	第11-14页
第二章 溅射与电镀铜工艺	第14-27页
第一节 溅射工艺的基本概念与原理	第14-16页
第二节 磁控溅射工艺技术的发展	第16-21页
第三节 电镀铜工艺的基本概念与原理	第21-23页
第四节 电镀工艺中的重要因素	第23-27页
第三章 优化铜种子层对电镀铜孔洞缺陷的影响和改善	第27-36页
第一节 电镀铜孔洞缺陷的形成	第27-29页
第二节 几种铜孔洞缺陷产生的机理	第29-31页
第三节 实验目的	第31页
第四节 实验材料和工具	第31-32页
第五节 实验内容	第32-36页
第四章 实验结果及分析讨论	第36-46页
第一节 不同溅射设备之间对比实验结果分析	第36-39页
第二节 不同工艺参数间对比实验结果分析	第39-40页
第三节 不同铜种子层厚度对比实验结果分析	第40-41页
第四节 铜种子层薄膜组分分析和性能比较	第41-43页
第五节 新工艺条件选择与确认	第43-44页
第六节 本文创新点与进一步展望	第44-46页
第五章 总结	第46-47页
参考文献	第47-49页
致谢	第49-50页