| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 超大规模集成电路面临的挑战和1/f噪声的影响 | 第7-16页 |
| 第一节 集成电路发展的历史和趋势 | 第7-10页 |
| 第二节 集成电路栅氧化层的发展方向 | 第10-13页 |
| 第三节 CMOS器件中1/f噪声的产生原理与模型 | 第13-16页 |
| 第二章 超大规模集成电路制造工艺中掺氮栅氧化层制备工艺简介 | 第16-23页 |
| 第一节 立式炉管制备掺氮栅氧化层工艺简介 | 第16-17页 |
| 第二节 等离子体掺氮栅氧化层的设备及原理 | 第17-21页 |
| 第三节 等离子体制备掺氮栅氧化层具体流程 | 第21-23页 |
| 第三章 等离子体掺氮栅氧化层对于改进1/f噪声的理论基础 | 第23-27页 |
| 第一节 掺氮栅氧化层工艺对栅氧化层-硅界面特性的影响 | 第23-25页 |
| 第二节 掺氮栅氧化层工艺对CMOS器件1/f噪声的影响 | 第25-27页 |
| 第四章 等离子体掺氮栅氧化层对于改进1/f噪声的实验设计和在线测试 | 第27-38页 |
| 第一节 等离子体掺氮栅氧化层对于改进1/f噪声的实验设计 | 第27-28页 |
| 第二节 等离子体掺氮栅氧化层对于改进1/f噪声的在线测试 | 第28-38页 |
| 第五章 等离子体掺氮栅氧化层对于改进1/f噪声的实验验证结果 | 第38-40页 |
| 第一节 测试实验验证结果的方法和测试工具 | 第38页 |
| 第二节 实验验证结果 | 第38-40页 |
| 第六章 总结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
