| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 堆叠式动态随机存储器(Stack DRAM)的简介 | 第7-22页 |
| 第一节 什么是动态随机存储器 | 第7页 |
| 第二节 堆叠式DRAM与沟槽式DRAM的比较 | 第7-9页 |
| 第三节 光刻工艺的介绍 | 第9-18页 |
| 第四节 光刻技术的发展 | 第18-22页 |
| 第二章 工艺中层与层对准精度的提升 | 第22-30页 |
| 第一节 工艺过程中各层之间对准原理 | 第22-26页 |
| 第二节 影响精确套准的因素 | 第26-27页 |
| 第三节 优化套准和量测标记的质量来提升对准精度 | 第27-30页 |
| 第三章 工艺中Bit Line图形倒塌(peeling)问题的解决 | 第30-35页 |
| 第一节 工艺中Bit Line图形倒塌问题的描述 | 第30页 |
| 第二节 造成Bit Line图形倒塌的原因分析 | 第30-31页 |
| 第三节 针对这种工艺缺陷的解决方法 | 第31-35页 |
| 第四章 存储单元内轻掺杂layer CLD掩蔽失效问题的解决 | 第35-41页 |
| 第一节 CLD(Cell Lightly Doping)掩蔽失效问题的描述 | 第35-36页 |
| 第二节 CLD掩蔽失效形成的原因分析 | 第36-39页 |
| 第三节 通过工艺的优化解决问题 | 第39-41页 |
| 第五章 曝光单元内的固定某一栏图形发生(By column)偏焦问题的解决 | 第41-47页 |
| 第一节 曝光单元内的固定某一栏图形发生偏焦问题的描述 | 第41页 |
| 第二节 曝光单元内的固定某一栏图形发生偏焦问题的形成原因 | 第41-42页 |
| 第三节 曝光单元内的固定某一栏图形发生偏焦问题的解决方法 | 第42-43页 |
| 第四节 PSFM新的焦距偏差监测系统的应用 | 第43-47页 |
| 第六章 控制PSM(Phase Shift Mask)相位移掩模板结晶状薄雾生成的方法 | 第47-51页 |
| 第一节 相位移掩模板原理 | 第47-48页 |
| 第二节 掩模板结晶状薄雾产生的原因 | 第48-49页 |
| 第三节 用新的方法监测和防止结晶状薄雾的产生 | 第49-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
