| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 前言 | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| ·引言 | 第7-10页 |
| ·硅化物在MOSFET栅结构中的应用 | 第10页 |
| ·硅化物在接触孔(源／漏)上的应用 | 第10页 |
| ·硅化物薄膜的制备 | 第10-11页 |
| ·传统自对准硅化物工艺及其存在的问题 | 第11-13页 |
| ·新兴的自对准硅化物工艺 | 第13-14页 |
| ·NI自对准硅化物工艺目前国内外的研究现状 | 第14页 |
| ·论文的内容安排 | 第14-15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 新兴材料--NISI | 第16-20页 |
| ·NI薄膜与SI的反应 | 第16页 |
| ·NISI薄膜接触势垒高度 | 第16-17页 |
| ·NISI薄膜形成过程中的耗硅量 | 第17-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 NISI薄膜的制备及工艺优化 | 第20-38页 |
| ·溅射前硅片表面的处理 | 第20页 |
| ·金属NI薄膜的淀积条件和厚度控制 | 第20-21页 |
| ·NISI薄膜的制备工艺研究以及工艺参数的优化 | 第21-32页 |
| ·NiSi薄膜形成温度的优化 | 第21-27页 |
| ·NiSi薄膜形成时间的优化 | 第27-28页 |
| ·不同衬底类型上NiSi薄膜的方块电阻 | 第28-30页 |
| ·NiSi薄膜热稳定性的研究 | 第30-32页 |
| ·NISI薄膜厚度的优化 | 第32-35页 |
| ·NiSi薄膜厚度的优化 | 第32-33页 |
| ·不同类型的衬底对NiSi薄膜厚度的影响 | 第33页 |
| ·NiSi薄膜的有效厚度 | 第33-35页 |
| ·NISI薄膜的选择性腐蚀 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 NI自对准硅化物浅结反向Ⅰ-Ⅴ特性的研究 | 第38-60页 |
| ·概述 | 第38页 |
| ·浅结二极管的优化设计 | 第38-42页 |
| ·浅结二极管的结构设计 | 第38-39页 |
| ·浅结二极管结构参数的分析和确定 | 第39-40页 |
| ·浅结二极管版图 | 第40-42页 |
| ·浅结二极管制备 | 第42-43页 |
| ·NI自对准硅化物浅结二极管反向Ⅰ-Ⅴ特性的研究 | 第43-59页 |
| ·传统Ti和Co-SALICIDE浅结反向漏电流机理分析 | 第43-45页 |
| ·不同的Ni薄膜厚度对Ni-SALICIDE浅结反向漏电的影响 | 第45-55页 |
| ·双层金属薄膜(Ni/TiN)对Ni-SALICIDE浅结反向漏电的影响 | 第55页 |
| ·合金工艺对Ni-SALICIDE浅结反向漏电的影响 | 第55页 |
| ·溅射金属薄膜时掺杂N_2对Ni-SALICIDE浅结反向漏电的影响 | 第55-56页 |
| ·Ni-SALICIDE浅结反向漏电机理的分析 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
