集成电路功能成品率模型及参数提取方法的研究
| 第一章 绪论 | 第1-10页 |
| §1．1 集成电路可制造性工程 | 第7-8页 |
| §1．2 本文的主要研究内容和安排 | 第8-10页 |
| 第二章 工艺缺陷模型 | 第10-16页 |
| §2．1 缺陷的轮廓模型 | 第10页 |
| §2．2 工艺过程的描述 | 第10页 |
| §2．3 缺陷的类型 | 第10-14页 |
| 2．3．1 冗余物缺陷 | 第11-12页 |
| 2．3．2 丢失物缺陷 | 第12-14页 |
| 2．3．3 氧化物针孔缺陷 | 第14页 |
| 2．3．4 结泄漏缺陷 | 第14页 |
| §2．4 缺陷模型的处理假设 | 第14-15页 |
| §2．5 本章小结 | 第15-16页 |
| 第三章 功能成品率模型 | 第16-26页 |
| §3．1 均匀分布点缺陷的功能成品率模型 | 第16页 |
| §3．2 非均匀分布缺陷的功能成品率模型 | 第16-17页 |
| §3．3 负二项式分布成品率模型 | 第17-19页 |
| §3．4 关键面积模型 | 第19-22页 |
| §3．5 Simple模型和Extended模型 | 第22-23页 |
| §3．6 模型好坏的评判 | 第23-25页 |
| §3．7 本章小结 | 第25-26页 |
| 第四章 功能成品率模型参数的提取 | 第26-42页 |
| §4．1 传统的缺陷统计数据测试结构 | 第26-27页 |
| §4．2 双桥测试结构 | 第27-29页 |
| §4．3 双桥测试结构的测试原理 | 第29-31页 |
| §4．4 双桥测试结构的设计 | 第31-33页 |
| 4．4．1 芯片的测试面积 | 第31页 |
| 4．4．2 桥的数目 | 第31-32页 |
| 4．4．3 缺陷位置的影响 | 第32-33页 |
| §4．5 流片试验结果 | 第33-34页 |
| §4．6 模型参数提取 | 第34-41页 |
| §4．7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 硅片缺陷检测系统 | 第42-53页 |
| §5．1 硬件部分的概述 | 第42页 |
| §5．2 电路设计思想 | 第42-43页 |
| §5．3 电路系统 | 第43-46页 |
| 5．3．1 继电器开关系统 | 第43页 |
| 5．3．2 稳流产生系统 | 第43-44页 |
| 5．3．3 模拟电流通道系统 | 第44页 |
| 5．3．4 单片机系统 | 第44页 |
| 5．3．5 限流限压保护系统 | 第44页 |
| 5．3．6 A/D变换数据采集 | 第44-45页 |
| 5．3．7 单片机与微机的接口电路 | 第45-46页 |
| §5．4 系统的调试指标 | 第46-47页 |
| §5．5 测试试验 | 第47页 |
| §5．6 软件部分的概述 | 第47-48页 |
| §5．7 软件程序的编写 | 第48-51页 |
| §5．8 单片机通路的自动切换 | 第51页 |
| §5．9 程序的出错处理 | 第51-52页 |
| §5．10 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 结束语 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 作者在攻读硕士学位期间的研究成果 | 第60-61页 |
| 附录 | 第61-63页 |
