| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·CMOS栅极材料的要求 | 第9-10页 |
| ·金属栅取代多晶硅栅的原因 | 第10-15页 |
| ·金属栅材料的选择 | 第15-16页 |
| ·有关TiN金属栅的一些研究进展及相关的功函数调制方法 | 第16-19页 |
| ·本论文内容安排 | 第19-20页 |
| 第二章 TiN金属栅样品的制备和测试方法 | 第20-30页 |
| ·样品制备工艺简介 | 第20-21页 |
| ·样品测试方法及原理 | 第21-30页 |
| ·四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻的原理 | 第21-23页 |
| ·X射线衍射用于物相分析的原理 | 第23-24页 |
| ·双频方法处理以消除频率弥散 | 第24-25页 |
| ·用准静态技术测量硅-二氧化硅界面态密度分布 | 第25-28页 |
| ·二次离子质谱(SIMS)法测量元素分布 | 第28页 |
| ·俄歇电子能谱(AES)法测量元素分布 | 第28-30页 |
| 第三章 TiN制备工艺及其作为金属栅材料的特性研究 | 第30-42页 |
| ·TiN制备工艺的研究 | 第30-36页 |
| ·溅射功率对成膜特性的影响 | 第30-32页 |
| ·溅射时N_2/Ar比对成膜特性的影响 | 第32-33页 |
| ·溅射时腔体气压对成膜特性的影响 | 第33页 |
| ·热退火对薄膜特性的影响 | 第33-36页 |
| ·直流溅射和射频溅射对成膜特性的影响 | 第36页 |
| ·TiN作为金属栅材料的一些特性研究 | 第36-40页 |
| ·样品的制备与测试 | 第37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 热退火处理对Al/TiN/SiO_2/p-Si结构金属栅有效功函数的调制 | 第42-54页 |
| ·样品的制备与测试 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 热退火处理对TiN(Yb)及TN(Ta)金属栅有效功函数的调制 | 第54-60页 |
| ·样品的制备与测试 | 第54-55页 |
| ·实验结果与分析 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 硕士期间研究成果 | 第67-68页 |
