铜互连芯片基材的摩擦电化学性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究现状分析 | 第8-15页 |
| 1.3 本课题的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 实验系统及材料 | 第17-29页 |
| 2.1 实验系统 | 第17-25页 |
| 2.2 实验材料 | 第25-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 铜电化学机械平坦化工艺研究 | 第29-47页 |
| 3.1 铜ECMP电解液选择 | 第29-39页 |
| 3.2 钝化膜特性分析 | 第39-41页 |
| 3.3 铜ECMP工艺优化 | 第41-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 铜电化学机械平坦化材料去除机理研究 | 第47-60页 |
| 4.1 钝化膜在阳极表面的形成过程 | 第47-50页 |
| 4.2 材料去除率模型 | 第50-54页 |
| 4.3 钝化膜电化学反应机理研究 | 第54-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 硅基材平坦化的电化学研究 | 第60-70页 |
| 5.1 硅片的腐蚀电化学特性研究 | 第60-63页 |
| 5.2 硅片的CMP工艺优化 | 第63-65页 |
| 5.3 外加电势对平坦化的影响研究 | 第65-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 结论及展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
