| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-12页 |
| 第一节 集成电路(IC)及集成电路制造流程简介 | 第6-7页 |
| 第二节 光刻技术 | 第7-12页 |
| 第二章 IC制造中硅片边缘上光刻工艺的波动问题现状和改善方案 | 第12-16页 |
| 第一节 硅片边缘问题概述以及光刻工艺相关问题 | 第12-13页 |
| 第二节 晶圆边缘光刻工艺问题现状分析 | 第13-15页 |
| 第三节 本论文主要内容和拟解决的问题 | 第15-16页 |
| 第三章 0.6um Power MOS工艺硅片边缘上光刻工艺的波动问题研究 | 第16-23页 |
| 第一节 Power MOS边缘离焦问题的基本介绍 | 第16-17页 |
| 第二节 边缘离焦问题的研究 | 第17-22页 |
| 第三节 本章小结 | 第22-23页 |
| 第四章 12英寸90nm/45nm边缘上光刻问题的解决方案研究 | 第23-38页 |
| 第一节 12英寸工艺技术以及硅片边缘问题的基本介绍 | 第23-26页 |
| 第二节 12寸工艺中硅片边缘上光刻工艺的波动问题研究 | 第26-37页 |
| 研究一. TWIN SCAN光刻机的CHUCK问题导致周边图形漂移的研究 | 第26-27页 |
| 研究二. EBR/WEE优化解决周边问题的研究 | 第27-31页 |
| 研究三. Leveling优化解决周边问题的研究 | 第31-33页 |
| 研究四. 硅片BEVEL的残留引起周边问题的研究 | 第33-37页 |
| 第三节 本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 总结与展望 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
