| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| ·选题背景与研究目的 | 第10页 |
| ·可靠性理论基础和理论分析 | 第10-15页 |
| ·可靠性及可靠性物理学 | 第10-12页 |
| ·电子元器件可靠性数学表征 | 第12-15页 |
| ·本论文要解决的问题 | 第15-16页 |
| 2 失效模式分析与改进措施研究的理论构架 | 第16-31页 |
| ·军用集成电路失效分析技术 | 第16-20页 |
| ·收集失效现场数据 | 第16-17页 |
| ·以失效分析为目的的电测试 | 第17页 |
| ·非破坏性分析 | 第17-18页 |
| ·打开封装 | 第18页 |
| ·镜检 | 第18-19页 |
| ·通电激励和失效定位 | 第19-20页 |
| ·军用集成电路的主要失效模式 | 第20-21页 |
| ·军用半导体集成电路的主要失效模式 | 第20页 |
| ·军用厚膜混合集成电路的主要失效模式 | 第20-21页 |
| ·军用集成电路失效机理 | 第21-22页 |
| ·半导体集成电路的失效机理 | 第21页 |
| ·厚膜混合集成电路的失效机理 | 第21-22页 |
| ·军用集成电路失效的物理模型 | 第22-23页 |
| ·军用集成电路可靠性增长技术 | 第23页 |
| ·可靠性设计技术 | 第23-26页 |
| ·简化设计 | 第24页 |
| ·低功耗设计 | 第24页 |
| ·保护电路设计 | 第24页 |
| ·针对元器件的稳定参数和典型特性进行设计 | 第24页 |
| ·降额设计 | 第24-26页 |
| ·军用集成电路的防静电措施 | 第26-28页 |
| ·破坏性物理分析技术 | 第28-29页 |
| ·可靠性试验技术 | 第29-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 3 典型失效模式分析与改进措施研究的技术手段 | 第31-41页 |
| ·概述 | 第31页 |
| ·军用集成电路的二次筛选技术 | 第31-34页 |
| ·半导体集成电路二次筛选技术 | 第32-33页 |
| ·厚膜混合集成电路二次筛选技术 | 第33-34页 |
| ·开发电子元器件数据库，为开展典型失效模式研究提供参考 | 第34-40页 |
| ·元器件信息库的开发与介绍 | 第34-40页 |
| ·开发电子元器件数据库，为典型失效模式研究提供参考 | 第40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 4 军用集成电路典型失效模式与机理分析 | 第41-46页 |
| ·半导体集成电路失效模式与机理分析 | 第41-43页 |
| ·封装失效 | 第41页 |
| ·引线键合失效 | 第41页 |
| ·芯片粘结失效 | 第41页 |
| ·体硅缺陷 | 第41页 |
| ·氧化层缺陷 | 第41-42页 |
| ·铝-金属缺陷 | 第42页 |
| ·静电损伤 | 第42-43页 |
| ·军用厚膜混合集成电路失效模式与机理分析 | 第43-45页 |
| ·器件失效 | 第43-44页 |
| ·互连失效 | 第44-45页 |
| ·基片失效 | 第45页 |
| ·封装失效 | 第45页 |
| ·沾污失效 | 第45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 5 军用集成电路可靠性试验分析 | 第46-51页 |
| ·气密性试验 | 第46-47页 |
| ·键合强度试验 | 第47-48页 |
| ·粘接强度试验 | 第48页 |
| ·高加速应力试验 | 第48页 |
| ·温度循环试验 | 第48-49页 |
| ·老炼应力筛选试验 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 6 军用集成电路失效模式与机理分析以及改进措施研究的工程实践 | 第51-69页 |
| ·军用半导体集成电路失效模式与机理分析以及改进措施的工程研究 | 第52-61页 |
| ·确定失效分析方案 | 第52-53页 |
| ·实施失效分析方案 | 第53-61页 |
| ·得出失效分析结论 | 第61页 |
| ·提出改进措施 | 第61页 |
| ·军用厚膜集成电路的失效模式与机理分析以及改进措施的工程研究 | 第61-66页 |
| ·确定失效模式 | 第61页 |
| ·分析失效机理 | 第61-63页 |
| ·验证失效机理 | 第63-65页 |
| ·确定失效机理 | 第65-66页 |
| ·提出改进措施 | 第66页 |
| ·小结 | 第66-69页 |
| 7 论文取得的成果及今后研究的方向 | 第69-70页 |
| ·论文取得的成果 | 第69页 |
| ·今后研究的方向 | 第69-70页 |
| 8 结束语 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
