| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第5-14页 |
| 1.1 课题背景 | 第5页 |
| 1.2 集成电路生产环境 | 第5-7页 |
| 1.3 集成电路生产工艺 | 第7-9页 |
| 1.4 湿法刻蚀分类 | 第9-10页 |
| 1.5 湿法刻蚀的现状发展趋势及存在问题 | 第10-13页 |
| 1.6 本文的研究内容与意义 | 第13-14页 |
| 第二章 湿法刻蚀机理及表征技术 | 第14-23页 |
| 2.1 不同薄膜湿法刻蚀介绍 | 第14-15页 |
| 2.2 湿法刻蚀中蚀刻药液的介绍 | 第15-21页 |
| 2.3 湿法刻蚀的表征技术及测试方法 | 第21-23页 |
| 第三章 影响湿法刻蚀均匀性的几种因素及其分析 | 第23-40页 |
| 3.1 BOE和HF对热氧化膜蚀刻均匀性的比较 | 第25-27页 |
| 3.2 磷酸对氧化膜和氮化膜蚀刻均匀性的比较 | 第27-28页 |
| 3.3 65nm逻辑产品中HF代替BOE的实验与分析 | 第28-30页 |
| 3.4 工艺参数和步骤优化对刻蚀均匀性的影响 | 第30-33页 |
| 3.5 去离子水清洗影响均匀性 | 第33-40页 |
| 第四章 栅氧化层蚀刻均匀性对逻辑产品性能的影响 | 第40-46页 |
| 4.1 生产中的缺陷 | 第40-41页 |
| 4.2 栅氧化层湿法蚀刻均匀性对WAT及CP的影响 | 第41-46页 |
| 第五章 结论及展望 | 第46-48页 |
| 5.1 结论 | 第46-47页 |
| 5.2 展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |