| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-28页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第18-20页 |
| 1.1.1 去嵌：从散射参数到噪声参数 | 第19页 |
| 1.1.2 去嵌：非线性时域波形 | 第19-20页 |
| 1.2 研究进展 | 第20-25页 |
| 1.3 本论文研究内容及安排 | 第25-28页 |
| 第二章 去嵌技术应用基础 | 第28-42页 |
| 2.1 微波测量 | 第28-34页 |
| 2.1.1 线性测量：从散射参数到噪声参数 | 第30-33页 |
| 2.1.2 非线性测量 | 第33-34页 |
| 2.2 微波晶体管建模 | 第34-42页 |
| 2.2.1 小信号等效电路 | 第35-39页 |
| 2.2.2 大信号等效电路 | 第39-42页 |
| 第三章 毫米波散射参数在片去嵌 | 第42-62页 |
| 3.1 毫米波散射参数测量 | 第42-47页 |
| 3.1.1 毫米波应用 | 第42页 |
| 3.1.2 散射参数测量基础 | 第42-47页 |
| 3.2 在片毫米波仪器及其装置 | 第47-49页 |
| 3.2.1 在片探针台及其装置 | 第48页 |
| 3.2.2 毫米波矢网分析仪 | 第48-49页 |
| 3.3 在片测量的校准和去嵌过程 | 第49-60页 |
| 3.3.1 片外校准：原理和校准件 | 第50-54页 |
| 3.3.2 在片去嵌：原理和去嵌测试结构 | 第54-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 基于450 μm厚度InP衬底的0.1 GHz-110 GHz在片去嵌研究 | 第62-80页 |
| 4.1 TRL和LRM非对称去嵌算法 | 第62-69页 |
| 4.1.1 TRL非对称去嵌算法求解 | 第63-67页 |
| 4.1.2 LRM非对称去嵌算法求解 | 第67-69页 |
| 4.2 基于450μm厚度InP衬底的去嵌结构设计及仿真 | 第69-73页 |
| 4.3 TRL和LRM去嵌的测试验证及分析 | 第73-78页 |
| 4.4 有源器件HBT的在片去嵌 | 第78-79页 |
| 4.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 基于50 μm厚度InP衬底的0.1 GHz-110 GHz在片去嵌研究 | 第80-90页 |
| 5.1 基于50μm厚度Inp衬底的去嵌结构设计及仿真 | 第80-84页 |
| 5.2 去嵌结构的测试验证及分析 | 第84-87页 |
| 5.3 有源器件HEMT的在片去嵌 | 第87-88页 |
| 5.4 本章小结 | 第88-90页 |
| 第六章 总结与展望 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-98页 |
| 致谢 | 第98-100页 |
| 作者简介 | 第100页 |
