| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 紫外探测器 | 第17-18页 |
| 1.1.1 紫外探测技术概述 | 第17页 |
| 1.1.2 紫外探测器研究背景 | 第17-18页 |
| 1.2 GaN材料的特点以及优势 | 第18-20页 |
| 1.2.1 GaN材料的特性 | 第18-20页 |
| 1.2.2 GaN材料的优势 | 第20页 |
| 1.3 本课题研究意义 | 第20-21页 |
| 1.4 本课题主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 GaN基p-i-n紫外探测器 | 第23-31页 |
| 2.1 GaN基紫外探测器 | 第23-26页 |
| 2.1.1 光电导紫外探测器 | 第23页 |
| 2.1.2 肖特基型紫外探测器 | 第23-24页 |
| 2.1.3 MSM型紫外探测器 | 第24-25页 |
| 2.1.4 p-i-n型紫外探测器 | 第25-26页 |
| 2.2 GaN基p-i-n紫外探测器工作原理 | 第26-28页 |
| 2.2.1 p-n结原理 | 第26页 |
| 2.2.2 p-i-n型紫外探测器工作原理 | 第26-28页 |
| 2.3 GaN基紫外探测器的主要性能参数 | 第28-29页 |
| 2.3.1 量子效率（η） | 第28页 |
| 2.3.2 光谱响应度（R） | 第28页 |
| 2.3.3 暗电流 | 第28-29页 |
| 2.3.4 光暗电流比 | 第29页 |
| 2.3.5 响应时间（τ） | 第29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 GaN基p-i-n型紫外探测器外延生长 | 第31-39页 |
| 3.1 MOCVD外延技术 | 第31-33页 |
| 3.1.1 MOCVD外延生长特点 | 第31-32页 |
| 3.1.2 MOCVD设备的生长系统 | 第32-33页 |
| 3.1.3 MOCVD的生长过程 | 第33页 |
| 3.2 MOCVD法制备Ga N基材料 | 第33-36页 |
| 3.2.1 MOCVD外延生长原理 | 第34页 |
| 3.2.2 GaN基材料外延生长中衬底材料的选择 | 第34-36页 |
| 3.3 GaN材料的掺杂 | 第36-37页 |
| 3.3.1 非故意掺杂的GaN | 第37页 |
| 3.3.2 GaN的n型掺杂 | 第37页 |
| 3.3.3 GaN的p型掺杂 | 第37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 GaN基p-i-n紫外探测器的性能研究 | 第39-63页 |
| 4.1 外延片生长参数 | 第39-40页 |
| 4.2 GaN基外延片XRD衍射分析 | 第40-44页 |
| 4.2.1 XRD测试 | 第40-42页 |
| 4.2.2 i层厚度对外延片的XRD摇摆曲线的影响 | 第42-44页 |
| 4.3 GaN基外延片AFM扫描分析 | 第44-45页 |
| 4.3.1 AFM测试 | 第44页 |
| 4.3.2 不同i层厚度的AFM测试 | 第44-45页 |
| 4.4 制备GaN基p-i-n紫外探测器芯片 | 第45-48页 |
| 4.5 光电学特性数据及分析 | 第48-59页 |
| 4.5.1 GaN基p-i-n紫外探测器无光条件下I-V曲线测试 | 第48-53页 |
| 4.5.2 GaN基p-i-n紫外探测器光照条件下I-V曲线测试 | 第53-54页 |
| 4.5.3 GaN基p-i-n紫外探测器C-V曲线特性 | 第54-57页 |
| 4.5.4 GaN基p-i-n紫外探测器的光谱响应曲线测试 | 第57-59页 |
| 4.6 不同尺寸的GaN基p-i-n紫外探测器特性 | 第59-61页 |
| 4.7 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 作者简介 | 第71-72页 |
| 1. 基本情况 | 第71页 |
| 2. 教育背景 | 第71页 |
| 3. 攻读硕士期间的研究成果 | 第71-72页 |
