| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-27页 |
| 1.1 移相器简介 | 第19-20页 |
| 1.2 GaN HEMT的优势 | 第20-21页 |
| 1.3 MMIC介绍及移相器国内外研究概况 | 第21-24页 |
| 1.3.1 MMIC介绍 | 第21页 |
| 1.3.2 移相器国内外研究概况 | 第21-24页 |
| 1.4 论文研究意义 | 第24页 |
| 1.5 论文的主要内容和安排 | 第24-27页 |
| 第二章 移相器的基本原理 | 第27-41页 |
| 2.1 移相器的分类 | 第27-28页 |
| 2.2 移相器主要性能要求 | 第28-30页 |
| 2.3 常见几种类型移相器介绍 | 第30-39页 |
| 2.3.1 加载线型移相器 | 第30-32页 |
| 2.3.2 开关线型移相器 | 第32-33页 |
| 2.3.3 高通/低通滤波器型移相器 | 第33-35页 |
| 2.3.4 全通网络型移相器 | 第35-39页 |
| 2.4 常见的几种类型移相器的特点比较 | 第39-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 GaN HEMT开关电路设计及研究 | 第41-55页 |
| 3.1 GaN HEMT器件工作原理 | 第41-42页 |
| 3.2 GaN HEMT的制作工艺流程 | 第42-45页 |
| 3.3 HEMT开关原理 | 第45-46页 |
| 3.4 开关器件的选择及开关电路的设计 | 第46-54页 |
| 3.4.1 HEMT开关管的选择分析 | 第47-50页 |
| 3.4.2 单刀双掷(SPDT)开关的设计 | 第50-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 X波段五位数字移相器的仿真设计 | 第55-79页 |
| 4.1 数字移相器的设计流程 | 第55-56页 |
| 4.2 移相器的拓扑结构选择 | 第56-57页 |
| 4.2.1 大移相位(180°、90°)拓扑结构的选择 | 第56-57页 |
| 4.2.2 小移相位(11.25°、22.5°、45°)拓扑结构的选择 | 第57页 |
| 4.3 各移相位的电路设计 | 第57-73页 |
| 4.3.1 11.25°移相位的设计 | 第57-61页 |
| 4.3.2 22.5°移相位的设计 | 第61-64页 |
| 4.3.3 45°移相位的设计 | 第64-67页 |
| 4.3.4 90°移相位的设计 | 第67-70页 |
| 4.3.5 180°移相位的设计 | 第70-73页 |
| 4.3.6 调试与仿真时需注意的几点 | 第73页 |
| 4.4 数字移相器的级联仿真规则 | 第73页 |
| 4.5 五位数字移相器的级联设计 | 第73-76页 |
| 4.6 本章小结 | 第76-79页 |
| 第五章 总结和展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87页 |