| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 硅微通道板技术发展 | 第8-10页 |
| 1.1.1 硅微通道板简介 | 第8-9页 |
| 1.1.2 国内外发展现状 | 第9-10页 |
| 1.2 硅微通道板基体制备技术 | 第10-14页 |
| 1.2.1 工艺流程 | 第10-11页 |
| 1.2.2 主要工艺环节 | 第11-14页 |
| 1.3 硅微通道阵列结构化学机械抛光与整形技术难点 | 第14页 |
| 1.3.1 硅微通道板基体对化学机械抛光要求 | 第14页 |
| 1.3.2 通道形貌整形意义 | 第14页 |
| 1.3.3 存在问题及难点 | 第14页 |
| 1.4 本论文研究内容与意义 | 第14-16页 |
| 第二章 硅微通道阵列化学机械抛光实验研究 | 第16-29页 |
| 2.1 硅微通道阵列化学机械抛光工艺原理 | 第16-19页 |
| 2.1.1 硅微通道阵列化学机械抛光系统结构和功能 | 第16-17页 |
| 2.1.2 硅微通道阵列化学机械抛光工艺控制参数与材料选取 | 第17-19页 |
| 2.2 硅微通道阵列结构化学机械抛光工艺流程 | 第19页 |
| 2.3 主要实验步骤和实验参数 | 第19-25页 |
| 2.3.1 标准清洗 | 第19-20页 |
| 2.3.2 填充保护 | 第20-23页 |
| 2.3.3 粘盘 | 第23-24页 |
| 2.3.4 去蜡清洗 | 第24-25页 |
| 2.4 实验结果分析讨论 | 第25-29页 |
| 2.4.1 微通道结构化学机械抛光对孔道壁厚的影响研究 | 第25-26页 |
| 2.4.2 去蜡清洗时间对通透率的影响 | 第26-29页 |
| 第三章 硅微通道结构整形实验研究 | 第29-47页 |
| 3.1 硅微通道阵列结构整形工艺原理 | 第29-34页 |
| 3.1.1 碱性腐蚀溶液对硅单晶材料各向异性腐蚀特性 | 第29-31页 |
| 3.1.2 硅微通道各表面晶向与腐蚀速率的关系 | 第31-33页 |
| 3.1.3 硅微通道阵列结构整形腐蚀液的种类和特性 | 第33-34页 |
| 3.2 硅微通道阵列结构整形实验系统设计 | 第34-36页 |
| 3.2.1 实验系统功能和总体结构 | 第34页 |
| 3.2.2 样品支架 | 第34-35页 |
| 3.2.3 水浴温控系统 | 第35页 |
| 3.2.4 搅拌系统 | 第35-36页 |
| 3.3 硅微通道阵列结构整形工艺流程 | 第36-37页 |
| 3.4 主要实验步骤和实验参数 | 第37页 |
| 3.5 实验结果分析讨论 | 第37-47页 |
| 3.5.1 TMAH腐蚀溶液浓度对硅微通道阵列形貌影响 | 第37-40页 |
| 3.5.2 TMAH腐蚀溶液温度对硅微通道阵列形貌影响 | 第40-42页 |
| 3.5.3 开口区通道尺寸变化规律 | 第42-44页 |
| 3.5.4 开口区域与等径区域尺寸关系 | 第44-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第51页 |
