| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 集成电路的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 多层铜互连技术 | 第10-11页 |
| 1.3 化学机械平坦化技术 | 第11-13页 |
| 1.4 低机械压力的铜布线化学机械平坦化研究进展 | 第13-15页 |
| 1.5 本论文的研究目的与内容 | 第15-17页 |
| 第二章 CuCMP实验设备及理论方法 | 第17-27页 |
| 2.1 实验设备 | 第17-21页 |
| 2.1.1 化学机械抛光设备 | 第17-18页 |
| 2.1.2 原子力显微镜 | 第18页 |
| 2.1.3 电化学工作站 | 第18-21页 |
| 2.1.4 其它实验仪器 | 第21页 |
| 2.2 实验方法及原理 | 第21-25页 |
| 2.2.1 化学机械抛光 | 第21-22页 |
| 2.2.2 原子力显微镜检测 | 第22-23页 |
| 2.2.3 静态腐蚀 | 第23页 |
| 2.2.4 样品表征方法 | 第23-24页 |
| 2.2.5 电化学方法在CMP中的应用 | 第24-25页 |
| 2.3 实验耗材 | 第25-27页 |
| 第三章 低机械压力下试剂对CuCMP的影响 | 第27-31页 |
| 3.1 实验工艺与材料 | 第27页 |
| 3.2 低机械压力下H_2O_2浓度对Cu去除速率的影响 | 第27-28页 |
| 3.3 低机械压力下FA/OⅡ螯合剂对Cu去除速率的影响 | 第28-29页 |
| 3.4 低机械压力下非离子表面活性剂浓度对Cu去除速率的影响 | 第29-30页 |
| 3.5 小结 | 第30-31页 |
| 第四章 低机械压力下SiO_2磨料对CuCMP的影响 | 第31-39页 |
| 4.1 SiO_2磨料的质量传递作用 | 第31-32页 |
| 4.2 实验工艺与材料 | 第32-33页 |
| 4.3 低机械压力下SiO_2磨料浓度对Cu去除速率的影响 | 第33-34页 |
| 4.4 低机械压力下SiO_2磨料粒径对Cu去除速率的影响 | 第34-35页 |
| 4.5 低机械压力下SiO_2磨料粒径对CuCMP后表面状态的影响 | 第35-36页 |
| 4.6 SiO_2磨料的稳定性及循环使用 | 第36-38页 |
| 4.6.1 影响SiO_2磨料稳定性的内在原因 | 第36-37页 |
| 4.6.2 SiO_2磨料的循环使用 | 第37-38页 |
| 4.7 小结 | 第38-39页 |
| 第五章 低机械压力下络合剂在CuCMP中的作用分析 | 第39-53页 |
| 5.1 实验工艺与材料 | 第39-40页 |
| 5.2 低机械压力下络合剂对Cu静态腐蚀速率的影响 | 第40-41页 |
| 5.3 低机械压力下络合剂对Cu去除速率的影响 | 第41-42页 |
| 5.4 低机械压力下络合剂对Cu的电化学实验研究 | 第42-43页 |
| 5.5 低机械压力下强化络合和胺化化学作用为主的CuCMP作用机理 | 第43-46页 |
| 5.6 低机械压力下模拟化学机械抛光的电化学实验研究 | 第46-50页 |
| 5.7 小结 | 第50-53页 |
| 第六章 总结及展望 | 第53-55页 |
| 6.1 全文总结 | 第53-54页 |
| 6.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
