| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 双大马士革工艺 | 第9-10页 |
| 1.3 化学机械抛光技术 | 第10-13页 |
| 1.3.1 化学机械抛光简介 | 第10页 |
| 1.3.2 化学机械抛光的过程及机理 | 第10-11页 |
| 1.3.3 化学机械抛光工艺参数 | 第11-12页 |
| 1.3.4 化学机械抛光在铜互连中的应用 | 第12-13页 |
| 1.4 新型铜互连阻挡层Co CMP研究进展 | 第13页 |
| 1.5 本论文研究的内容及目的 | 第13-16页 |
| 第二章 Co CMP实验方法和机理研究 | 第16-28页 |
| 2.1 实验设备 | 第16-19页 |
| 2.1.1 化学机械抛光设备 | 第16-17页 |
| 2.1.2 电化学工作站 | 第17-18页 |
| 2.1.3 原子力显微镜 | 第18页 |
| 2.1.4 PH测试计 | 第18-19页 |
| 2.1.5 电子分析天平 | 第19页 |
| 2.2 实验材料 | 第19-24页 |
| 2.2.1 磨料 | 第20-21页 |
| 2.2.2 表面活性剂 | 第21-22页 |
| 2.2.3 螯合剂 | 第22-23页 |
| 2.2.4 氧化剂 | 第23-24页 |
| 2.3 实验方法 | 第24-28页 |
| 2.3.1 化学机械抛光 | 第24页 |
| 2.3.2 电化学应用 | 第24-25页 |
| 2.3.3 粗糙度的测试 | 第25-28页 |
| 第三章 抛光工艺参数对Co CMP的影响 | 第28-34页 |
| 3.1 流量对Co抛光速率和表面粗糙度的影响 | 第28-29页 |
| 3.2 压力对Co抛光速率和表面粗糙度的影响 | 第29-30页 |
| 3.3 转速对Co抛光速率和表面粗糙度的影响 | 第30-31页 |
| 3.4 抛光工艺参数在Co CMP中应用 | 第31-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 FA/OⅠ螯合剂与H_2O_2协同对Co CMP影响 | 第34-42页 |
| 4.1 FA/OⅠ螯合剂与H_2O_2协同对Co抛光速率的影响 | 第34-36页 |
| 4.2 FA/OⅠ螯合剂与H_2O_2协同对Co和Cu抛光速率的影响 | 第36页 |
| 4.3 FA/OⅠ螯合剂与H_2O_2协同对Co电化学性能的研究 | 第36-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-42页 |
| 第五章 Ⅰ型活性剂对Co CMP的影响 | 第42-48页 |
| 5.1 Ⅰ型活性剂对Co抛光速率的影响 | 第43-45页 |
| 5.2 Ⅰ型活性剂对Co CMP后表面粗糙度的影响 | 第45-46页 |
| 5.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第六章 总结及展望 | 第48-50页 |
| 6.1 全文总结 | 第48页 |
| 6.2 展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
