二氧化硅和光阻等离子刻蚀影响因素正交试验研究
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 等离子刻蚀技术概述 | 第7-17页 |
| 1.1 等离子刻蚀技术概述 | 第7-16页 |
| 1.1.1 等离子刻蚀的类型和特点 | 第8-9页 |
| 1.1.2 等离子蚀刻机台概述 | 第9-16页 |
| 1.2 等离子刻蚀的应用 | 第16-17页 |
| 第二章 常用材料的等离子体刻蚀 | 第17-23页 |
| 2.1 绝缘介质的等离子刻蚀 | 第17-20页 |
| 2.2 硅的等离子刻蚀 | 第20-22页 |
| 2.3 金属的等离子刻蚀 | 第22-23页 |
| 第三章 试验介绍 | 第23-37页 |
| 3.1 等离子蚀刻机台介绍 | 第23-31页 |
| 3.1.1 等离子蚀刻机台结构 | 第23-30页 |
| 3.1.2 等离子蚀刻机台工作原理 | 第30-31页 |
| 3.2 量测机台介绍 | 第31-35页 |
| 3.2.1 干涉法量测原理 | 第31-32页 |
| 3.2.2 椭偏法量测原理 | 第32-35页 |
| 3.3 试验方案介绍: | 第35-37页 |
| 第四章 结果分析 | 第37-59页 |
| 4.1 试验结果总结 | 第37-38页 |
| 4.2 刻蚀结果极差分析 | 第38-47页 |
| 4.2.1 SiO_2 刻蚀结果极差分析 | 第42-44页 |
| 4.2.2 PR 刻蚀结果极差分析 | 第44-46页 |
| 4.2.3 PR/SiO_2 选择比极差结果分析 | 第46-47页 |
| 4.3 刻蚀结果方差分析 | 第47-51页 |
| 4.4 SiO_2 刻蚀结果双因素综合分析 | 第51-55页 |
| 4.4.1 SiO_2 刻蚀速率影响因素分析 | 第51-53页 |
| 4.4.2 SiO_2 刻蚀不均匀度影响分析 | 第53-55页 |
| 4.5 PR 刻蚀结果双因素综合分析 | 第55-58页 |
| 4.5.1 PR 刻蚀速率影响因素分析 | 第55-57页 |
| 4.5.2 PR 刻蚀不均匀度影响分析 | 第57-58页 |
| 4.6 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
