晶片化学机械抛光中的质量问题的研究及解决
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 论文研究的目的与意义 | 第9-12页 |
| 1.2 CMP 的基本原理 | 第12-16页 |
| 1.2.1 CMP 的原理 | 第12-13页 |
| 1.2.2 CMP 的基本技术 | 第13-16页 |
| 1.3 CMP 的发展历史及研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3.1 CMP 的发展历史 | 第16页 |
| 1.3.2 CMP 的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 论文的研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 刮伤 | 第20-42页 |
| 2.1 大尺寸刮伤 | 第20-28页 |
| 2.1.1 大尺寸刮伤的成因 | 第20-27页 |
| 2.1.2 大尺寸刮伤的解决方案 | 第27-28页 |
| 2.2 小尺寸刮伤 | 第28-37页 |
| 2.2.1 小尺寸刮伤的成因 | 第28-31页 |
| 2.2.2 小尺寸刮伤的解决方案 | 第31-37页 |
| 2.3 刮伤的处理流程 | 第37-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 表面杂质残留 | 第42-62页 |
| 3.1 待抛光物残留 | 第42-50页 |
| 3.1.1 待抛光物残留的成因 | 第42-49页 |
| 3.1.2 待抛光物残留的解决方案 | 第49-50页 |
| 3.2 抛光液残留和外来颗粒物残留 | 第50-55页 |
| 3.2.1 抛光液残留和外来颗粒物残留的成因 | 第50-55页 |
| 3.2.2 解决方案 | 第55页 |
| 3.3 表面杂质残留的处理流程 | 第55-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 恶性腐蚀和凹形磨削 | 第62-72页 |
| 4.1 恶性腐蚀 | 第62-67页 |
| 4.1.1 恶性腐蚀的成因分析 | 第62-66页 |
| 4.1.2 恶性腐蚀的解决方案 | 第66-67页 |
| 4.1.3 恶性腐蚀的处理流程 | 第67页 |
| 4.2 凹形磨削 | 第67-70页 |
| 4.2.1 凹形磨削的成因分析 | 第67-70页 |
| 4.2.2 凹形磨削的解决方案 | 第70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 结论和展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
