| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 BCD 工艺在电源管理集成电路中的应用 | 第10-13页 |
| 1.1.1 电源管理集成电路发展现状及趋势 | 第10-11页 |
| 1.1.2 电源管理集成电路对制造工艺的要求 | 第11页 |
| 1.1.3 BCD 工艺是制造电源集成电路的上佳选择 | 第11-13页 |
| 1.2 BCD 工艺基本要求及特点 | 第13页 |
| 1.3 0.35 μm BCD 工艺简单流程 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的选题及研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 针对 LDMOS 器件 N+/P+ SD 工艺段的改善 | 第16-42页 |
| 2.1 LDMOS 结构分析及工艺问题 | 第16-20页 |
| 2.1.1 LDMOS 在本产品中的应用 | 第16-17页 |
| 2.1.2 LDMOS 版图设计及工艺问题 | 第17-20页 |
| 2.2 N+/P+SD 工艺段流程 | 第20-33页 |
| 2.2.1 N+/P+SD 光刻工艺 | 第20-25页 |
| 2.2.2 N+/P+SD 离子注入工艺 | 第25-27页 |
| 2.2.3 N+/P+SD 离子注入后清洗工艺 | 第27-29页 |
| 2.2.4 工艺缺陷的检测方法 | 第29-33页 |
| 2.3 LDMOS N+SD 柱状光刻胶脱落问题的解决 | 第33-41页 |
| 2.3.1 LDMOS N+SD 光刻和离子注入工艺优化试验设计 | 第33-34页 |
| 2.3.2 LDMOS N+SD 光刻和离子注入工艺优化试验结果 | 第34-38页 |
| 2.3.3 LDMOS N+SD 离子注入后清洗残留问题的解决 | 第38-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 针对 NPN BJT 器件 HFE 问题相关工艺段的改善 | 第42-58页 |
| 3.1 NPN BJT HFE 问题描述及分析 | 第42-44页 |
| 3.1.1 NPN BJT HFE 问题描述 | 第42页 |
| 3.1.2 NPN BJT 结构原理分析 | 第42-44页 |
| 3.2 NPN BJT 工艺分析 | 第44-46页 |
| 3.2.1 NPN BJT 工艺流程 | 第44-45页 |
| 3.2.2 NPN BJT 相关工艺失效效应分析 | 第45-46页 |
| 3.3 CO 金属硅化物工艺段改善实验设计及验证 | 第46-49页 |
| 3.3.1 CO 金属硅化物原理及应用 | 第46-47页 |
| 3.3.2 CO 金属硅化物工艺段实验 | 第47-49页 |
| 3.4 N+SD 离子注入后 RTA 实验设计及验证 | 第49-56页 |
| 3.4.1 离子注入损伤机制 | 第49-54页 |
| 3.4.2 N+SD 离子注入后 RTA 实验 | 第54-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 针对金属缺陷问题的后段工艺改善 | 第58-74页 |
| 4.1 针对钨塞空洞问题的接触孔工艺段改善 | 第58-65页 |
| 4.1.1 接触孔钨塞空洞问题描述 | 第58-60页 |
| 4.1.2 接触孔钨塞填充工艺 | 第60-64页 |
| 4.1.3 接触孔钨塞空洞问题改善实验 | 第64-65页 |
| 4.2 针对铝坑问题的通孔工艺段改善 | 第65-72页 |
| 4.2.1 铝坑问题描述 | 第65-66页 |
| 4.2.2 相关工艺分析 | 第66-70页 |
| 4.2.3 铝坑问题改善实验 | 第70-72页 |
| 4.3 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 结论和展望 | 第74-76页 |
| 5.1 本文的主要贡献 | 第74-75页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
