| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| ·电子封装 | 第9-10页 |
| ·倒装芯片技术 | 第10-12页 |
| ·电迁移理论 | 第12-14页 |
| ·电迁移通量(Flux)方程式 | 第13-14页 |
| ·平均破坏时间(Mean-Time-To-Failure,MTTF) | 第14页 |
| ·倒装芯片焊点中电迁移研究现状 | 第14-20页 |
| ·电流拥挤效应(Current crowding) | 第15-16页 |
| ·焦耳热效应及热迁移(Joule heating and thermomigration) | 第16-17页 |
| ·电迁移作用下的失效模式(electromigration failure modes) | 第17-20页 |
| ·本论文研究目的和研究内容 | 第20-21页 |
| ·研究目的 | 第20页 |
| ·研究内容 | 第20-21页 |
| 2 实验及模拟方法 | 第21-26页 |
| ·实验样品、仪器及方法 | 第21-25页 |
| ·实验样品 | 第21-22页 |
| ·实验仪器 | 第22-23页 |
| ·电迁移实验方法 | 第23-25页 |
| ·样品分析方法 | 第25页 |
| ·模拟方法 | 第25-26页 |
| 3 ANSYS有限元模拟 | 第26-34页 |
| ·ANSYS软件介绍 | 第26-27页 |
| ·倒装芯片热电耦合分析 | 第27-28页 |
| ·Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/ENEPIG焊点电流密度与温度分布 | 第28-30页 |
| ·Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/OSP焊点电流密度与温度分布 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 4 Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/ENEPIG焊点的热时效与电迁移 | 第34-51页 |
| ·初始界面组织结构 | 第34-36页 |
| ·150℃下焊点的热时效 | 第36-40页 |
| ·芯片端Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu界面组织结构 | 第36-38页 |
| ·基板端Ni-P/Sn-3.0Ag-0.5Cu界面组织结构 | 第38-40页 |
| ·150℃和低电流密度(5×10~3A/cm~2)下焊点的电迁移 | 第40-46页 |
| ·Ni-P为阴极(Ni UBM为阳极) | 第40-42页 |
| ·Ni UBM为阴极(Ni-P为阳极) | 第42-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 5 Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/OSP焊点的热时效与电迁移 | 第51-69页 |
| ·焊点初始界面组织结构 | 第51-52页 |
| ·150℃下焊点的热时效 | 第52-55页 |
| ·芯片端Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu界面组织结构 | 第52-54页 |
| ·基板端Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu界面组织结构 | 第54-55页 |
| ·150℃和低电流密度(5×10~3A/cm~2)下焊点的电迁移 | 第55-63页 |
| ·Cu为阴极(Ni UBM为阳极) | 第55-60页 |
| ·Ni UBM为阴极(Cu为阳极) | 第60-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
