晶圆减薄及背面金属蒸镀制程的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·集成电路概述 | 第11-12页 |
| ·集成电路产业在中国的发展 | 第12-13页 |
| ·功率器件概述 | 第13页 |
| ·功率器件的工作原理 | 第13-17页 |
| ·背面工艺制程的需求 | 第17-18页 |
| ·论文总体结构和拟展开的工作 | 第18-19页 |
| 第二章 晶圆背面研磨工艺的研究与实现 | 第19-31页 |
| ·化学机械平坦化工艺简介 | 第19-21页 |
| ·晶圆背面减薄工艺 | 第21-24页 |
| ·晶圆正面贴膜 | 第22-23页 |
| ·晶圆背面减薄 | 第23-24页 |
| ·实验条件的设计 | 第24-29页 |
| ·实验设备 | 第24-25页 |
| ·测试设备 | 第25-26页 |
| ·实验方法 | 第26页 |
| ·实验数据及结论 | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 晶圆背面蚀刻 | 第31-38页 |
| ·酸碱腐蚀法反应原理 | 第31-33页 |
| ·酸性液体对硅的腐蚀原理 | 第32页 |
| ·碱性液体对硅的腐蚀原理 | 第32-33页 |
| ·实验方法 | 第33-35页 |
| ·实验结果 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 晶圆背面金属沉积 | 第38-49页 |
| ·背面金属沉积工艺简介 | 第38-39页 |
| ·单枪多坩埚电子书蒸发镀膜 | 第39-40页 |
| ·多靶型磁控溅射镀膜 | 第40-41页 |
| ·背面金属沉积类型的选择 | 第41-43页 |
| ·背面金属沉积条件的设计与实验 | 第43-47页 |
| ·金属预熔时间的设计与实验 | 第45-46页 |
| ·金属沉积厚度的设计与实验 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 批量生产制程验证 | 第49-69页 |
| ·批量制程验证的必要性 | 第49页 |
| ·制程中遇到的缺陷问题 | 第49-53页 |
| ·晶圆正面进酸 | 第49-50页 |
| ·晶圆背面异常 | 第50页 |
| ·晶圆破片 | 第50-51页 |
| ·晶圆正面残留物 | 第51-52页 |
| ·晶圆翘曲严重 | 第52页 |
| ·背面金属剥落 | 第52-53页 |
| ·晶圆缺角 | 第53页 |
| ·制程中缺陷问题的解决 | 第53-67页 |
| ·晶圆正面进酸现象的分析及解决 | 第53-57页 |
| ·晶圆背面异常现象的分析及解决 | 第57-62页 |
| ·晶圆破片和翘曲现象的分析及解决 | 第62-66页 |
| ·晶圆正面残留现象的分析及解决 | 第66页 |
| ·背面金属剥落及缺角现象的分析和解决 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第六章 结论 | 第69-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
