浅沟槽隔离（STI）刻蚀工艺条件研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
第一章 研究背景	第5-9页
·半导体产业的发展概况	第5-6页
·浅沟槽隔离(STI)的背景	第6-7页
·浅沟槽隔离(STI)概况	第7-9页
第二章 干法刻蚀工艺介绍	第9-31页
·集成电路工艺流程简介	第9-18页
·干法刻蚀的目的和方法	第18页
·干法刻蚀的特点	第18-19页
·干法刻蚀的机理	第19-20页
·干法刻蚀的相关参数	第20页
·干法刻蚀的反应式	第20-21页
·干法刻蚀的方式	第21-25页
·干刻刻蚀缺陷种类与改善	第25-31页
第三章 STI刻蚀工艺简介	第31-37页
·浅沟槽隔离技术(STI)在半导体器件中的作用	第31-32页
·浅沟槽隔离技术(STI)形成过程	第32页
·浅沟槽隔离刻蚀步骤	第32-33页
·隔离技术的关键工艺	第33-36页
·浅沟槽隔离技术(STI)结构要求	第36-37页
第四章 STI刻蚀工艺条件开发过程	第37-46页
·原理	第37页
·原料和设备	第37页
·原始工艺条件	第37-38页
·基础数据的采集	第38-40页
·实验结果的改善方向	第40-41页
·实验片刻蚀的结果	第41-43页
·实验结果扩展	第43-45页
·产品结果	第45-46页
第五章 结论	第46-47页
致谢	第47-48页
参考文献	第48-49页