基于大功率晶体管背面金属化溅射工艺的设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·溅射技术的发展现状 | 第10-11页 |
| ·论文的研究背景及意义 | 第11-12页 |
| ·计算机软件介绍 | 第12-14页 |
| ·MINITAB 软件的介绍 | 第12-13页 |
| ·MINITAB 软件统计分析的优势 | 第13-14页 |
| ·论文的主要工作及内容安排 | 第14-16页 |
| 第二章 溅射技术的概述 | 第16-23页 |
| ·溅射原理 | 第16-17页 |
| ·反应溅射 | 第17-18页 |
| ·溅射装置 | 第18页 |
| ·溅射镀膜的特点 | 第18-19页 |
| ·膜层生长过程 | 第19-20页 |
| ·溅射主要参数 | 第20-21页 |
| ·影响薄膜沉积的工艺参数 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 背面金属化研究 | 第23-30页 |
| ·溅射制膜的过程 | 第23页 |
| ·背面金属化的特点及要求 | 第23-24页 |
| ·背面金属化的特点 | 第23页 |
| ·背面金属化的要求 | 第23-24页 |
| ·背面金属化结构 | 第24-25页 |
| ·背面金属化对大功率晶体管的影响 | 第25-26页 |
| ·欧姆接触不良 | 第25页 |
| ·热应力失效 | 第25-26页 |
| ·背面金属化质量的检验方法 | 第26-28页 |
| ·剪切力测量 | 第26-27页 |
| ·电性能的测量 | 第27页 |
| ·超声波检测 | 第27-28页 |
| ·焊接不良原因及相应措施 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 氩气流量对粘片空洞的影响 | 第30-42页 |
| ·芯片的焊接方法及机理 | 第30-31页 |
| ·空洞产生的机理 | 第31-32页 |
| ·氩气流量的影响 | 第32-39页 |
| ·实验条件 | 第32页 |
| ·氩气流量对空洞的影响 | 第32-38页 |
| ·氩气流量对膜层厚度的影响 | 第38-39页 |
| ·空洞率对功率晶体管参数的影响 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 真空度对金属层间剪切力的影响 | 第42-51页 |
| ·真空原理 | 第42-45页 |
| ·真空定义 | 第42页 |
| ·真空的分类 | 第42页 |
| ·真空的获得 | 第42-45页 |
| ·真空的测量 | 第45-46页 |
| ·真空计测量范围 | 第46-47页 |
| ·真空测量特点 | 第47页 |
| ·真空度对剪切力的影响 | 第47-50页 |
| ·实验条件 | 第48页 |
| ·实验结果及分析 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 溅射功率对膜层厚度的影响 | 第51-53页 |
| ·实验方法 | 第51页 |
| ·实验结果及讨论 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第七章 铬-镍铬-银与钛-镍钒-银结构对比 | 第53-65页 |
| ·背面金属结构对剪贴力的影响 | 第53-54页 |
| ·跌落实验介绍 | 第54-55页 |
| ·背面金属结构跌落实验对晶体管参数的影响 | 第55-64页 |
| ·实验条件 | 第55页 |
| ·TI-NI/V-AG 背面金属结构跌落 | 第55-59页 |
| ·CR-NI/CR-AG 背面金属结构跌落 | 第59-63页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第八章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
