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IC和Preconcentrator-GC-MS在半导体缺陷研究方面的应用

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-12页
第一章 前言第12-16页
   ·分子级空气污染物的定义及分类第12-13页
   ·分子级空气污染物的污染源及控制方法分析第13-14页
     ·分子级空气污染物的污染源分析第13页
     ·分子级空气污染物的污染源控制方法第13-14页
   ·分析仪器在半导体AMC控制方面的应用及前景第14-15页
   ·论文的主要内容与章节安排第15-16页
     ·论文的主要内容第15页
     ·论文的章节安排第15-16页
第二章 离子色谱和预浓缩气相色谱质谱介绍第16-28页
   ·色谱的基本概念第16页
   ·离子色谱介绍第16-23页
     ·离子色谱的原理第16-20页
     ·离子色谱的定量方法第20-21页
     ·离子色谱的优点第21页
     ·实验仪器及样品分析方法第21-23页
   ·预浓缩气相色谱质谱介绍第23-27页
     ·预浓缩气相色谱质谱的原理第23-25页
     ·预浓缩气相色谱质谱的定量方法第25-26页
     ·预浓缩气相色谱质谱的优点第26页
     ·实验仪器及色谱条件第26-27页
   ·本章小结第27-28页
第三章 造成 CRYSTALDEFECT 的氟离子来源研究第28-39页
   ·Crystal defect及成因介绍第28-29页
   ·造成Crystal defect的氟离子来源研究第29-31页
     ·分批实验验证氟离子来源第29-30页
     ·Pod内部氟离子污染测试第30-31页
   ·Pod和cassette中氟离子来源及机理研究第31-35页
     ·pod和cassette中氟离子来源研究第31-34页
     ·Pod和cassette污染机理研究第34-35页
   ·Pod和cassette清洗方法及机理研究第35-38页
     ·Pod和cassette清洗方法研究第35-37页
     ·清洗机理研究第37-38页
   ·本章小结第38-39页
第四章 引起 CRATER DEFECT 的原因及 VOC 来源研究第39-50页
   ·Crater defect介绍第39-41页
   ·Crater defect与VOC的相关性研究第41-42页
   ·甲苯实验验证crater defect与VOC的关系第42-44页
   ·Crater defect的形成机理第44-45页
   ·VOC污染源研究第45-48页
     ·外源污染第45-46页
     ·内源污染第46-48页
   ·本章小结第48-50页
第五章 引起缺陷的环境因素的控制方法第50-69页
   ·氟离子污染源控制方法第51-59页
     ·洁净室大环境控制第51-57页
     ·晶片小环境控制第57-59页
   ·VOC污染源控制方法第59-67页
     ·洁净室大环境控制第59-65页
     ·污染源源头控制第65-67页
   ·本章小结第67-69页
第六章 结论与展望第69-73页
   ·结论第69-71页
   ·展望第71-73页
参考文献第73-77页
致谢第77-78页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第78-80页

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