芯片级电迁移分析与友好布线的研究
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第6-14页 |
| 1.1 课题研究背景及研究目的 | 第6-8页 |
| 1.2 电迁移的国内外研究现状 | 第8-12页 |
| 1.2.1 电迁移模型的研究现状 | 第8-11页 |
| 1.2.2 电迁移修复技术的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第12-14页 |
| 2 电迁移效应的理论基础 | 第14-25页 |
| 2.1 芯片级电迁移分析 | 第14-20页 |
| 2.1.1 全芯片分析采用的模型 | 第14-17页 |
| 2.1.2 基于互连线树结构的电迁移分析 | 第17-20页 |
| 2.2 冗余过孔对电迁移的影响机理 | 第20-23页 |
| 2.2.1 空洞生长计算模型 | 第20-22页 |
| 2.2.2 电阻变化计算模型 | 第22页 |
| 2.2.3 中值失效时间估算模型 | 第22-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-25页 |
| 3 芯片级电迁移分析研究 | 第25-38页 |
| 3.1 有限元分析软件—COMSOL | 第25-27页 |
| 3.2 常见的互连线树结构 | 第27页 |
| 3.3 互连线树结构的有限元分析 | 第27-35页 |
| 3.3.1 电迁移电热耦合场模型建立及分析 | 第27-31页 |
| 3.3.2 电迁移偏微分数学求解场模型建立及分析 | 第31-35页 |
| 3.4 基于互连线树结构的电迁移分析模型 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 冗余过孔对电迁移的影响机理研究 | 第38-47页 |
| 4.1 空洞的生长 | 第43-44页 |
| 4.2 空洞引发的电阻变化 | 第44页 |
| 4.3 中值失效时间估算 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 5 电迁移分析和修正算法 | 第47-56页 |
| 5.1 具体版图的电迁移分析结果 | 第47-49页 |
| 5.2 基于冗余过孔的修正算法 | 第49-55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
