| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 TSV转接板概述 | 第10页 |
| 1.2 TSV转接板在射频领域的应用现状 | 第10-16页 |
| 1.3 射频TSV转接板技术所面1临的问题及相关研究 | 第16-20页 |
| 1.4 选题内容及研究目标 | 第20页 |
| 1.5 论文内容安排 | 第20-22页 |
| 第二章 射频转接板TSV互连结构设计 | 第22-34页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 热应力分析解析模型 | 第22-25页 |
| 2.3 TSV转接板影响因素分析 | 第25-31页 |
| 2.3.1 位置r与热应力的关系 | 第25-27页 |
| 2.3.2 温度变化量与热应力的关系 | 第27-28页 |
| 2.3.3 衬底半径与通孔半径比值q与热应力的关系 | 第28-30页 |
| 2.3.4 环形铜TSV内外半径的比值k与热应力的关系 | 第30-31页 |
| 2.4 射频TSV转接板TSV结构设计 | 第31-32页 |
| 2.5 总结 | 第32-34页 |
| 第三章 射频TSV转接板工艺研究 | 第34-60页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 TSV工艺流程 | 第34-36页 |
| 3.3 射频TSV转接板工艺设计 | 第36-55页 |
| 3.3.1 射频TSV转接板工艺流程方案1 | 第36-48页 |
| 3.3.2 射频TSV转接板工艺流程方案2 | 第48-55页 |
| 3.4 电镀方案分析 | 第55-58页 |
| 3.5 小结 | 第58-60页 |
| 第四章 射频TSV转接板评估分析 | 第60-82页 |
| 4.1 引言 | 第60页 |
| 4.2 应力强度分析及热疲劳分析 | 第60-63页 |
| 4.2.2 畸变能密度理论(Von Mises准则) | 第60-61页 |
| 4.2.3 疲劳分析基本理论 | 第61-63页 |
| 4.3 封装体热应力仿真 | 第63-74页 |
| 4.3.1 建立仿真模型 | 第63-65页 |
| 4.3.2 设置材料属性及仿真单元类型 | 第65-66页 |
| 4.3.3 网格划分 | 第66-67页 |
| 4.3.4 温度载荷施加 | 第67页 |
| 4.3.5 仿真结果分析 | 第67-74页 |
| 4.5 TSV转接板热应力仿真 | 第74-78页 |
| 4.5.1 建立仿真模型 | 第74-75页 |
| 4.5.2 仿真结果分析 | 第75-78页 |
| 4.6 TSV的热应力强度分析 | 第78-79页 |
| 4.7 TSV的热疲劳分析 | 第79-80页 |
| 4.8 小结 | 第80-82页 |
| 第五章 总结与展望 | 第82-84页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第82页 |
| 5.2 研究工作展望 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-90页 |
| 在学期间的研究成果 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
