| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题来源 | 第9页 |
| 1.2 课题的研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.3 碳化硅材料的发展现状 | 第10-11页 |
| 1.3.1 国外的发展现状 | 第10-11页 |
| 1.3.2 国内的发展现状 | 第11页 |
| 1.4 纳米抛光加工的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.5 目前存在的不足 | 第13-14页 |
| 1.6 课题主要的研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 纳米抛光碳化硅分子动力学建模 | 第15-22页 |
| 2.1 分子动力学基本理论 | 第15-20页 |
| 2.1.1 模拟系统势函数的选取 | 第15-17页 |
| 2.1.2 模拟系统系综的选择 | 第17-18页 |
| 2.1.3 经典牛顿运动方法求解 | 第18-19页 |
| 2.1.4 仿真模型边界条件的确定 | 第19页 |
| 2.1.5 时间步长的选择 | 第19-20页 |
| 2.1.6 配位数 | 第20页 |
| 2.2 碳化硅晶体结构 | 第20-21页 |
| 2.3 分子动力学处理软件 | 第21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 碳化硅纳米压力抛光超精密加工的分子动力学仿真与分析 | 第22-37页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 碳化硅抛光仿真模型建立 | 第22-24页 |
| 3.3 不同抛光压力仿真结果分析 | 第24-29页 |
| 3.3.1 系统势能分析 | 第24-25页 |
| 3.3.2 工件温度分析 | 第25页 |
| 3.3.3 压力对材料去除量的影响 | 第25-29页 |
| 3.4 不同抛光压力对碳化硅相变结果的分析 | 第29-35页 |
| 3.4.1 碳化硅相变原子的定性分析 | 第29-32页 |
| 3.4.2 碳化硅相变原子的定量分析 | 第32-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 金刚石纳米旋转抛光碳化硅的分子动力学仿真与分析 | 第37-58页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 不同转矩对碳化硅抛光加工过程的影响 | 第37-46页 |
| 4.2.1 碳化硅仿真模型的建立 | 第37-38页 |
| 4.2.2 碳化硅工件加工过程的影响 | 第38-40页 |
| 4.2.3 抛光力的分析 | 第40-42页 |
| 4.2.4 相变机制的分析 | 第42-45页 |
| 4.2.5 相变深度的分析 | 第45-46页 |
| 4.3 不同抛光深度对纳米碳化硅抛光过程的影响 | 第46-56页 |
| 4.3.1 碳化硅仿真模型的建立 | 第46-47页 |
| 4.3.2 抛光模式的分析 | 第47-49页 |
| 4.3.3 抛光力的分析 | 第49-51页 |
| 4.3.4 相变机制的分析 | 第51-53页 |
| 4.3.5 损伤机制的分析 | 第53-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 结论 | 第58页 |
| 5.2 展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |