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纳米集成电路软错误分析与缓解技术研究

表目录第1-8页
图目录第8-12页
摘要第12-14页
Abstract第14-17页
第一章 绪论第17-31页
   ·研究背景第17-20页
   ·问题的提出第20-26页
   ·本文工作第26-29页
   ·本文结构第29-31页
第二章 纳米集成电路软错误问题概述第31-51页
   ·基本概念第31-34页
   ·软错误机理第34-36页
   ·软错误分析技术第36-43页
     ·器件级分析第37-38页
     ·电路级分析第38-41页
     ·体系结构级分析第41-43页
   ·软错误缓解技术第43-50页
     ·器件级缓解第43-44页
     ·电路级缓解第44-47页
     ·体系结构级缓解第47-50页
   ·本章小结第50-51页
第三章 相联存储器软错误分析与缓解第51-81页
   ·引言第51页
   ·相联存储器软错误易感性分析第51-60页
     ·相联存储器结构第51-54页
     ·相联存储器错误类型第54-55页
     ·体系结构易感性分析第55-57页
     ·单元易感性分析第57-60页
   ·可靠CAM 单元设计第60-69页
     ·基于稳定结构的RCAM 单元第60-61页
     ·双单元反馈RCAM 单元第61-62页
     ·双单元保持RCAM 单元第62-63页
     ·抛弃机制第63-65页
     ·实验与分析第65-69页
   ·容软错误CAM 设计第69-80页
     ·容软错误CAM 结构第69-70页
     ·三值匹配线机制第70-72页
     ·三值敏感放大器第72-74页
     ·容软错误CAM 访问算法第74-76页
     ·实验与分析第76-79页
     ·与相关工作的比较第79-80页
   ·本章小结第80-81页
第四章 高效的时序电路软错误缓解第81-109页
   ·引言第81页
   ·软错误免疫寄存器设计第81-91页
     ·软错误免疫寄存器可靠性分析第81-86页
     ·动态时空双模冗余寄存器设计第86-88页
     ·实验与分析第88-91页
   ·基于敏感寄存器替换的错误缓解技术第91-107页
     ·可靠性-开销综合评估指标第92-94页
     ·基于贪婪算法的寄存器替换策略第94-96页
     ·可靠性-开销最优的启发式替换算法第96-98页
     ·实验与分析第98-106页
     ·与相关工作的比较第106-107页
   ·本章小结第107-109页
第五章 动态电路软错误易感性分析与优化第109-147页
   ·引言第109页
   ·动态电路软错误易感性概貌分析第109-112页
   ·动态电路软错误易感性量化分析第112-119页
     ·a4、b2 和b3 情况第113-117页
     ·b4 情况第117-119页
   ·简化的软错误易感性分析模型第119-127页
     ·简化分析模型第120-126页
     ·一般电路的扩展第126-127页
   ·动态电路软错误易感性优化第127-131页
     ·提高扇出逻辑转换阈值第128页
     ·增大驱动管电导第128-129页
     ·增加驱动管扩散电容第129-130页
     ·增加负载电容第130-131页
   ·实验与模型验证第131-145页
     ·瞬态电流注入实验第131-135页
     ·简化分析模型验证第135-140页
     ·动态电路优化技术实验第140-145页
   ·本章小结第145-147页
第六章 低开销的运算单元软错误缓解第147-171页
   ·引言第147页
   ·运算单元中的软错误与容错第147-149页
   ·STPA:开发固有冗余缓解软错误第149-170页
     ·并行加法器算法第150-155页
     ·STPA 设计第155-161页
     ·高效的故障注入评估方法第161-168页
     ·故障注入实验与分析第168-170页
   ·本章小结第170-171页
第七章 结束语第171-177页
   ·本文工作总结第171-174页
   ·未来研究方向第174-177页
致谢第177-181页
参考文献第181-195页
作者在学期间取得的学术成果第195-199页
附录A 缩略语表第199-201页

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