纳米集成电路软错误分析与缓解技术研究
表目录 | 第1-8页 |
图目录 | 第8-12页 |
摘要 | 第12-14页 |
Abstract | 第14-17页 |
第一章 绪论 | 第17-31页 |
·研究背景 | 第17-20页 |
·问题的提出 | 第20-26页 |
·本文工作 | 第26-29页 |
·本文结构 | 第29-31页 |
第二章 纳米集成电路软错误问题概述 | 第31-51页 |
·基本概念 | 第31-34页 |
·软错误机理 | 第34-36页 |
·软错误分析技术 | 第36-43页 |
·器件级分析 | 第37-38页 |
·电路级分析 | 第38-41页 |
·体系结构级分析 | 第41-43页 |
·软错误缓解技术 | 第43-50页 |
·器件级缓解 | 第43-44页 |
·电路级缓解 | 第44-47页 |
·体系结构级缓解 | 第47-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
第三章 相联存储器软错误分析与缓解 | 第51-81页 |
·引言 | 第51页 |
·相联存储器软错误易感性分析 | 第51-60页 |
·相联存储器结构 | 第51-54页 |
·相联存储器错误类型 | 第54-55页 |
·体系结构易感性分析 | 第55-57页 |
·单元易感性分析 | 第57-60页 |
·可靠CAM 单元设计 | 第60-69页 |
·基于稳定结构的RCAM 单元 | 第60-61页 |
·双单元反馈RCAM 单元 | 第61-62页 |
·双单元保持RCAM 单元 | 第62-63页 |
·抛弃机制 | 第63-65页 |
·实验与分析 | 第65-69页 |
·容软错误CAM 设计 | 第69-80页 |
·容软错误CAM 结构 | 第69-70页 |
·三值匹配线机制 | 第70-72页 |
·三值敏感放大器 | 第72-74页 |
·容软错误CAM 访问算法 | 第74-76页 |
·实验与分析 | 第76-79页 |
·与相关工作的比较 | 第79-80页 |
·本章小结 | 第80-81页 |
第四章 高效的时序电路软错误缓解 | 第81-109页 |
·引言 | 第81页 |
·软错误免疫寄存器设计 | 第81-91页 |
·软错误免疫寄存器可靠性分析 | 第81-86页 |
·动态时空双模冗余寄存器设计 | 第86-88页 |
·实验与分析 | 第88-91页 |
·基于敏感寄存器替换的错误缓解技术 | 第91-107页 |
·可靠性-开销综合评估指标 | 第92-94页 |
·基于贪婪算法的寄存器替换策略 | 第94-96页 |
·可靠性-开销最优的启发式替换算法 | 第96-98页 |
·实验与分析 | 第98-106页 |
·与相关工作的比较 | 第106-107页 |
·本章小结 | 第107-109页 |
第五章 动态电路软错误易感性分析与优化 | 第109-147页 |
·引言 | 第109页 |
·动态电路软错误易感性概貌分析 | 第109-112页 |
·动态电路软错误易感性量化分析 | 第112-119页 |
·a4、b2 和b3 情况 | 第113-117页 |
·b4 情况 | 第117-119页 |
·简化的软错误易感性分析模型 | 第119-127页 |
·简化分析模型 | 第120-126页 |
·一般电路的扩展 | 第126-127页 |
·动态电路软错误易感性优化 | 第127-131页 |
·提高扇出逻辑转换阈值 | 第128页 |
·增大驱动管电导 | 第128-129页 |
·增加驱动管扩散电容 | 第129-130页 |
·增加负载电容 | 第130-131页 |
·实验与模型验证 | 第131-145页 |
·瞬态电流注入实验 | 第131-135页 |
·简化分析模型验证 | 第135-140页 |
·动态电路优化技术实验 | 第140-145页 |
·本章小结 | 第145-147页 |
第六章 低开销的运算单元软错误缓解 | 第147-171页 |
·引言 | 第147页 |
·运算单元中的软错误与容错 | 第147-149页 |
·STPA:开发固有冗余缓解软错误 | 第149-170页 |
·并行加法器算法 | 第150-155页 |
·STPA 设计 | 第155-161页 |
·高效的故障注入评估方法 | 第161-168页 |
·故障注入实验与分析 | 第168-170页 |
·本章小结 | 第170-171页 |
第七章 结束语 | 第171-177页 |
·本文工作总结 | 第171-174页 |
·未来研究方向 | 第174-177页 |
致谢 | 第177-181页 |
参考文献 | 第181-195页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第195-199页 |
附录A 缩略语表 | 第199-201页 |