IC封装的铜线键合工艺及其可靠性研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 实用价值与理论意义 | 第11-12页 |
| 1.2 电子封装技术的研究现状和发展 | 第12-19页 |
| 1.2.1 电子封装技术的发展 | 第12-13页 |
| 1.2.2 引线键合技术的研究现状 | 第13-18页 |
| 1.2.3 铜线键合技术的发展现状 | 第18-19页 |
| 1.3 本论文的结构安排 | 第19-20页 |
| 第二章 铜线键合的实验材料与方法 | 第20-24页 |
| 2.1 实验材料 | 第20-21页 |
| 2.2 实验设备和方法 | 第21-23页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.2.2 工艺参数实验设计方法 | 第22页 |
| 2.2.3 剪切和拉伸实验 | 第22-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 铜线键合工艺的参数研究与优化 | 第24-44页 |
| 3.1 铜线键合工艺介绍 | 第24-25页 |
| 3.2 烧球工艺参数研究及优化 | 第25-37页 |
| 3.2.1 烧球参数对铜球的影响 | 第25-34页 |
| 3.2.3 铜球成形不良的因素分析 | 第34-37页 |
| 3.3 铜线键合工艺焊接参数研究 | 第37-43页 |
| 3.3.1 铜线键合工艺的影响因素 | 第37-39页 |
| 3.3.2 铜线键合焊接参数的研究与优化 | 第39-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 铜线键合工艺的性能和失效性研究 | 第44-54页 |
| 4.1 铜线键合点失效模式分析 | 第44-47页 |
| 4.2 机械性能测试及其失效模式 | 第47-53页 |
| 4.2.1 拉力测试及失效模式 | 第47-48页 |
| 4.2.2 剪切测试及失效模式 | 第48-50页 |
| 4.2.3 铜线键合拉力测试和剪切测试的失效原理 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 铜线键合工艺的可靠性研究 | 第54-73页 |
| 5.1 温度冲击实验 | 第54-55页 |
| 5.2 电耐久性试验 | 第55-57页 |
| 5.3 高温存储试验 | 第57-71页 |
| 5.3.1 存储温度为 150℃ | 第57-58页 |
| 5.3.2 存储温度为 175℃ | 第58-60页 |
| 5.3.3 存储温度为 200℃ | 第60-63页 |
| 5.3.4 存储温度为 250℃ | 第63-69页 |
| 5.3.5 存储温度为 300℃ | 第69-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第六章 结论 | 第73-75页 |
| 6.1 本文的主要贡献 | 第73-74页 |
| 6.2 下一步工作的展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
